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Casa > Produtos > Produtos semicondutores discretos > Diodos - retificadores - Single > RS1BL R3G
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117523Imagem RS1BL R3G.TSC (Taiwan Semiconductor)

RS1BL R3G

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Disponível
9000+
$0.061
Inquérito Online
Especificações
  • Modelo do Produto
    RS1BL R3G
  • Fabricante / Marca
    Taiwan Semiconductor
  • Quantidade de estoque
    Disponível
  • Descrição
    DIODE GEN PURP 100V 800MA SUBSMA
  • Status sem chumbo / Status RoHS
    Sem chumbo / acordo com RoHS
  • Fichas de dados
    RS1BL R3G.pdf
  • Tensão - Forward (FV) (Max) @ Se
    1.3V @ 800mA
  • Tensão - DC reversa (Vr) (Max)
    100V
  • Embalagem do dispositivo fornecedor
    Sub SMA
  • Velocidade
    Fast Recovery = 200mA (Io)
  • Série
    -
  • Inversa de tempo de recuperação (trr)
    150ns
  • Embalagem
    Tape & Reel (TR)
  • Caixa / Gabinete
    DO-219AB
  • Outros nomes
    RS1BL R3G-ND
    RS1BLR3G
  • Temperatura de Operação - Junção
    -55°C ~ 150°C
  • Tipo de montagem
    Surface Mount
  • Nível de sensibilidade à umidade (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Tempo de entrega padrão do fabricante
    25 Weeks
  • Status sem chumbo / status de RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Tipo Diode
    Standard
  • Descrição detalhada
    Diode Standard 100V 800mA Surface Mount Sub SMA
  • Atual - dispersão reversa @ Vr
    5µA @ 100V
  • Atual - rectificada média (Io)
    800mA
  • Capacitância @ Vr, F
    10pF @ 4V, 1MHz

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Envio
Pagamento
O seguinte é "RS1BL R3G" produtos relacionados.
RS1BHR3G

RS1BHR3G

Descrição: DIODE GEN PURP 100V 1A DO214AC

Fabricantes: TSC (Taiwan Semiconductor)
Disponível
RFQ
RS1BL MHG

RS1BL MHG

Descrição: DIODE GEN PURP 100V 800MA SUBSMA

Fabricantes: TSC (Taiwan Semiconductor)
Disponível
RFQ
RS1BL MQG

RS1BL MQG

Descrição: DIODE GEN PURP 100V 800MA SUBSMA

Fabricantes: TSC (Taiwan Semiconductor)
Disponível
RFQ
RS1BL RHG

RS1BL RHG

Descrição: DIODE GEN PURP 100V 800MA SUBSMA

Fabricantes: TSC (Taiwan Semiconductor)
Disponível
RFQ
RS1BL RQG

RS1BL RQG

Descrição: DIODE GEN PURP 100V 800MA SUBSMA

Fabricantes: TSC (Taiwan Semiconductor)
Disponível
RFQ
RS1BHE3/61T

RS1BHE3/61T

Descrição: DIODE GEN PURP 100V 1A DO214AC

Fabricantes: Electro-Films (EFI) / Vishay
Disponível
RFQ
RS1BHE3_A/I

RS1BHE3_A/I

Descrição: DIODE GEN PURP 100V 1A DO214AC

Fabricantes: Electro-Films (EFI) / Vishay
Disponível
RFQ
RS1BHE3_A/H

RS1BHE3_A/H

Descrição: DIODE GEN PURP 100V 1A DO214AC

Fabricantes: Electro-Films (EFI) / Vishay
Disponível
RFQ
RS1BL RFG

RS1BL RFG

Descrição: DIODE GEN PURP 100V 800MA SUBSMA

Fabricantes: TSC (Taiwan Semiconductor)
Disponível
RFQ
RS1BL RTG

RS1BL RTG

Descrição: DIODE GEN PURP 100V 800MA SUBSMA

Fabricantes: TSC (Taiwan Semiconductor)
Disponível
RFQ
RS1BLHMTG

RS1BLHMTG

Descrição: DIODE GEN PURP 100V 800MA SUBSMA

Fabricantes: TSC (Taiwan Semiconductor)
Disponível
RFQ
RS1BLHMQG

RS1BLHMQG

Descrição: DIODE GEN PURP 100V 800MA SUBSMA

Fabricantes: TSC (Taiwan Semiconductor)
Disponível
RFQ
RS1BHM2G

RS1BHM2G

Descrição: DIODE GEN PURP 100V 1A DO214AC

Fabricantes: TSC (Taiwan Semiconductor)
Disponível
RFQ
RS1BLHMHG

RS1BLHMHG

Descrição: DIODE GEN PURP 100V 800MA SUBSMA

Fabricantes: TSC (Taiwan Semiconductor)
Disponível
RFQ
RS1BL RVG

RS1BL RVG

Descrição: DIODE GEN PURP 100V 800MA SUBSMA

Fabricantes: TSC (Taiwan Semiconductor)
Disponível
RFQ
RS1BL MTG

RS1BL MTG

Descrição: DIODE GEN PURP 100V 800MA SUBSMA

Fabricantes: TSC (Taiwan Semiconductor)
Disponível
RFQ
RS1BHE3/5AT

RS1BHE3/5AT

Descrição: DIODE GEN PURP 100V 1A DO214AC

Fabricantes: Electro-Films (EFI) / Vishay
Disponível
RFQ
RS1BLHM2G

RS1BLHM2G

Descrição: DIODE GEN PURP 100V 800MA SUBSMA

Fabricantes: TSC (Taiwan Semiconductor)
Disponível
RFQ
RS1BL RUG

RS1BL RUG

Descrição: DIODE GEN PURP 100V 800MA SUBSMA

Fabricantes: TSC (Taiwan Semiconductor)
Disponível
RFQ
RS1BL M2G

RS1BL M2G

Descrição: DIODE GEN PURP 100V 800MA SUBSMA

Fabricantes: TSC (Taiwan Semiconductor)
Disponível
RFQ
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