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Casa > Produtos > Produtos semicondutores discretos > Diodos - retificadores - Single > RS1G M2G
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5301485Imagem RS1G M2G.TSC (Taiwan Semiconductor)

RS1G M2G

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Preço de referência (em dólares americanos)

Disponível
15000+
$0.05
Inquérito Online
Especificações
  • Modelo do Produto
    RS1G M2G
  • Fabricante / Marca
    Taiwan Semiconductor
  • Quantidade de estoque
    Disponível
  • Descrição
    DIODE GEN PURP 400V 1A DO214AC
  • Status sem chumbo / Status RoHS
    Sem chumbo / acordo com RoHS
  • Fichas de dados
    RS1G M2G.pdf
  • Tensão - Forward (FV) (Max) @ Se
    1.3V @ 1A
  • Tensão - DC reversa (Vr) (Max)
    400V
  • Embalagem do dispositivo fornecedor
    DO-214AC (SMA)
  • Velocidade
    Fast Recovery = 200mA (Io)
  • Série
    -
  • Inversa de tempo de recuperação (trr)
    150ns
  • Embalagem
    Tape & Reel (TR)
  • Caixa / Gabinete
    DO-214AC, SMA
  • Outros nomes
    RS1G M2G-ND
    RS1GM2G
  • Temperatura de Operação - Junção
    -55°C ~ 150°C
  • Tipo de montagem
    Surface Mount
  • Nível de sensibilidade à umidade (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Tempo de entrega padrão do fabricante
    17 Weeks
  • Status sem chumbo / status de RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Tipo Diode
    Standard
  • Descrição detalhada
    Diode Standard 400V 1A Surface Mount DO-214AC (SMA)
  • Atual - dispersão reversa @ Vr
    5µA @ 400V
  • Atual - rectificada média (Io)
    1A
  • Capacitância @ Vr, F
    10pF @ 4V, 1MHz

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Envio
Pagamento
O seguinte é "RS1G M2G" produtos relacionados.
RS1E320GNTB

RS1E320GNTB

Descrição: MOSFET N-CH 30V 32A 8-HSOP

Fabricantes: LAPIS Semiconductor
Disponível
RFQ
RS1G-E3/5AT

RS1G-E3/5AT

Descrição: DIODE GEN PURP 400V 1A DO214AC

Fabricantes: Electro-Films (EFI) / Vishay
Disponível
RFQ
RS1E200GNTB

RS1E200GNTB

Descrição: MOSFET N-CH 30V 20A 8-HSOP

Fabricantes: LAPIS Semiconductor
Disponível
RFQ
RS1G

RS1G

Descrição: DIODE GEN PURP 400V 1A SMA

Fabricantes: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Disponível
RFQ
RS1G-13

RS1G-13

Descrição: DIODE GEN PURP 400V 1A SMA

Fabricantes: Diodes Incorporated
Disponível
RFQ
RS1E240GNTB

RS1E240GNTB

Descrição: MOSFET N-CH 30V 24A 8-HSOP

Fabricantes: LAPIS Semiconductor
Disponível
RFQ
RS1G-M3/5AT

RS1G-M3/5AT

Descrição: DIODE GEN PURP 400V 1A DO214AC

Fabricantes: Electro-Films (EFI) / Vishay
Disponível
RFQ
RS1G/1

RS1G/1

Descrição: DIODE GEN PURP 400V 1A DO214AC

Fabricantes: Electro-Films (EFI) / Vishay
Disponível
RFQ
RS1E280GNTB

RS1E280GNTB

Descrição: MOSFET N-CH 30V 28A 8-HSOP

Fabricantes: LAPIS Semiconductor
Disponível
RFQ
RS1G R3G

RS1G R3G

Descrição: DIODE GEN PURP 400V 1A DO214AC

Fabricantes: TSC (Taiwan Semiconductor)
Disponível
RFQ
RS1G-13-F

RS1G-13-F

Descrição: DIODE GEN PURP 400V 1A SMA

Fabricantes: Diodes Incorporated
Disponível
RFQ
RS1G-M3/61T

RS1G-M3/61T

Descrição: DIODE GEN PURP 400V 1A DO214AC

Fabricantes: Electro-Films (EFI) / Vishay
Disponível
RFQ
RS1G-E3/61T

RS1G-E3/61T

Descrição: DIODE GEN PURP 400V 1A DO214AC

Fabricantes: Electro-Films (EFI) / Vishay
Disponível
RFQ
RS1E280BNTB

RS1E280BNTB

Descrição: MOSFET N-CH 30V 28A 8HSOP

Fabricantes: LAPIS Semiconductor
Disponível
RFQ
RS1E200BNTB

RS1E200BNTB

Descrição: MOSFET N-CH 30V 20A 8HSOP

Fabricantes: LAPIS Semiconductor
Disponível
RFQ
RS1G150MNTB

RS1G150MNTB

Descrição: MOSFET N-CH 40V 15A 8HSOP

Fabricantes: LAPIS Semiconductor
Disponível
RFQ
RS1E240BNTB

RS1E240BNTB

Descrição: MOSFET N-CH 30V 24A 8HSOP

Fabricantes: LAPIS Semiconductor
Disponível
RFQ
RS1E350BNTB

RS1E350BNTB

Descrição: MOSFET N-CH 30V 35A 8HSOP

Fabricantes: LAPIS Semiconductor
Disponível
RFQ
RS1G120MNTB

RS1G120MNTB

Descrição: MOSFET N-CH 40V 12A 8HSOP

Fabricantes: LAPIS Semiconductor
Disponível
RFQ
RS1E300GNTB

RS1E300GNTB

Descrição: MOSFET N-CH 30V 30A 8-HSOP

Fabricantes: LAPIS Semiconductor
Disponível
RFQ
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