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Casa > Produtos > Produtos semicondutores discretos > Transistores - FETs, MOSFETs - Single > TSM150NB04CR RLG

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2292850

Imagem TSM150NB04CR RLG.

TSC (Taiwan Semiconductor)

TSM150NB04CR RLG

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Disponível

2500+

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Inquérito Online

Especificações

Modelo do Produto

TSM150NB04CR RLG
Fabricante / Marca

Taiwan Semiconductor
Quantidade de estoque

Disponível
Descrição

MOSFET SINGLE N-CHANNEL TRENCH
Status sem chumbo / Status RoHS
Fichas de dados

TSM150NB04CR RLG.pdf
VGS (th) (Max) @ Id

4V @ 250µA
Vgs (Max)

±20V
Tecnologia

MOSFET (Metal Oxide)
Embalagem do dispositivo fornecedor

8-PDFN (5x6)
Série

-
RDS ON (Max) @ Id, VGS

15 mOhm @ 10A, 10V
Dissipação de energia (Max)

3.1W (Ta), 56W (Tc)
Embalagem

Tape & Reel (TR)
Caixa / Gabinete

8-PowerLDFN
Outros nomes

TSM150NB04CRRLGTR
Temperatura de operação

-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montagem

Surface Mount
Nível de sensibilidade à umidade (MSL)

1 (Unlimited)
Tempo de entrega padrão do fabricante

10 Weeks
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds

1092pF @ 20V
Carga de Porta (Qg) (Max) @ Vgs

19nC @ 10V
Tipo FET

N-Channel
Característica FET

-
Voltagem da unidade (Rds máximo ligado, Rds mínimo ligado)

10V
Escorra a tensão de fonte (Vdss)

40V
Descrição detalhada

N-Channel 40V 10A (Ta), 41A (Tc) 3.1W (Ta), 56W (Tc) Surface Mount 8-PDFN (5x6)
Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25 ° C

10A (Ta), 41A (Tc)

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