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Casa > Produtos > Produtos semicondutores discretos > Transistores - FETs, MOSFETs - matrizes > TSM680P06DPQ56 RLG

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6874851

Imagem TSM680P06DPQ56 RLG.

TSC (Taiwan Semiconductor)

TSM680P06DPQ56 RLG

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$0.473

1000+

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Inquérito Online

Especificações

Modelo do Produto

TSM680P06DPQ56 RLG
Fabricante / Marca

Taiwan Semiconductor
Quantidade de estoque

Disponível
Descrição

MOSFET 2 P-CH 60V 12A 8PDFN
Status sem chumbo / Status RoHS

Sem chumbo / acordo com RoHS
Fichas de dados

TSM680P06DPQ56 RLG.pdf
VGS (th) (Max) @ Id

2.5V @ 250µA
Embalagem do dispositivo fornecedor

8-PDFN (5x6)
Série

-
RDS ON (Max) @ Id, VGS

68 mOhm @ 6A, 10V
Power - Max

3.5W
Embalagem

Original-Reel®
Caixa / Gabinete

8-PowerTDFN
Outros nomes

TSM680P06DPQ56 RLGDKR
TSM680P06DPQ56 RLGDKR-ND
TSM680P06DPQ56RLGDKR
Temperatura de operação

-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem

Surface Mount
Nível de sensibilidade à umidade (MSL)

1 (Unlimited)
Status sem chumbo / status de RoHS

Lead free / RoHS Compliant
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds

870pF @ 30V
Carga de Porta (Qg) (Max) @ Vgs

16.4nC @ 10V
Tipo FET

2 P-Channel (Dual)
Característica FET

Standard
Escorra a tensão de fonte (Vdss)

60V
Descrição detalhada

Mosfet Array 2 P-Channel (Dual) 60V 12A (Tc) 3.5W Surface Mount 8-PDFN (5x6)
Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25 ° C

12A (Tc)

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Envio

Pagamento

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