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Casa > Produtos > Produtos semicondutores discretos > Transistores - Bipolar (BJT) - Single, pre-tendenc > RN1101CT(TPL3)
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5852701Imagem RN1101CT(TPL3).Toshiba Semiconductor and Storage

RN1101CT(TPL3)

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Inquérito Online
Especificações
  • Modelo do Produto
    RN1101CT(TPL3)
  • Fabricante / Marca
  • Quantidade de estoque
    Disponível
  • Descrição
    TRANS PREBIAS NPN 0.05W CST3
  • Status sem chumbo / Status RoHS
    Sem chumbo / acordo com RoHS
  • Fichas de dados
  • Tensão - emissor de coletor de Breakdown (Max)
    20V
  • Vce Saturação (Max) @ Ib, Ic
    150mV @ 250µA, 5mA
  • Tipo transistor
    NPN - Pre-Biased
  • Embalagem do dispositivo fornecedor
    CST3
  • Série
    -
  • Resistor - Base do Emissor (R2)
    4.7 kOhms
  • Resistor - Base (R1)
    4.7 kOhms
  • Power - Max
    50mW
  • Embalagem
    Tape & Reel (TR)
  • Caixa / Gabinete
    SC-101, SOT-883
  • Outros nomes
    RN1101CT(TPL3)TR
  • Tipo de montagem
    Surface Mount
  • Nível de sensibilidade à umidade (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Status sem chumbo / status de RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Descrição detalhada
    Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) NPN - Pre-Biased 20V 50mA 50mW Surface Mount CST3
  • DC ganho de corrente (HFE) (min) @ Ic, Vce
    30 @ 10mA, 5V
  • Atual - Collector Cutoff (Max)
    500nA
  • Atual - Collector (Ic) (Max)
    50mA
RN104PJ390CS

RN104PJ390CS

Descrição: RES ARRAY 4 RES 39 OHM 0804

Fabricantes: Samsung Electro-Mechanics America, Inc.
Disponível
RN1101MFV,L3F

RN1101MFV,L3F

Descrição: TRANS PREBIAS NPN 50V SOT723

Fabricantes: Toshiba Semiconductor and Storage
Disponível
RN1103MFV(TPL3)

RN1103MFV(TPL3)

Descrição: TRANS PREBIAS NPN 150MW VESM

Fabricantes: Toshiba Semiconductor and Storage
Disponível
RN104PJ472CS

RN104PJ472CS

Descrição: RES ARRAY 4 RES 4.7K OHM 0804

Fabricantes: Samsung Electro-Mechanics America, Inc.
Disponível
RN104PJ7R5CS

RN104PJ7R5CS

Descrição: RES ARRAY 4 RES 7.5 OHM 0804

Fabricantes: Samsung Electro-Mechanics America, Inc.
Disponível
RN1102CT(TPL3)

RN1102CT(TPL3)

Descrição: TRANS PREBIAS NPN 0.05W CST3

Fabricantes: Toshiba Semiconductor and Storage
Disponível
RN104PJ750CS

RN104PJ750CS

Descrição: RES ARRAY 4 RES 75 OHM 0804

Fabricantes: Samsung Electro-Mechanics America, Inc.
Disponível
RN1102,LF(CT

RN1102,LF(CT

Descrição: TRANS PREBIAS NPN 50V 0.1W SSM

Fabricantes: Toshiba Semiconductor and Storage
Disponível
RN1103,LF(CT

RN1103,LF(CT

Descrição: TRANS PREBIAS NPN 0.1W SSM

Fabricantes: Toshiba Semiconductor and Storage
Disponível
RN104PJ360CS

RN104PJ360CS

Descrição: RES ARRAY 4 RES 36 OHM 0804

Fabricantes: Samsung Electro-Mechanics America, Inc.
Disponível
RN1102T5LFT

RN1102T5LFT

Descrição: TRANS PREBIAS NPN 0.1W SSM

Fabricantes: Toshiba Semiconductor and Storage
Disponível
RN1103ACT(TPL3)

RN1103ACT(TPL3)

Descrição: TRANS PREBIAS NPN 0.1W CST3

Fabricantes: Toshiba Semiconductor and Storage
Disponível
RN104PJ3R0CS

RN104PJ3R0CS

Descrição: RES ARRAY 4 RES 3 OHM 0804

Fabricantes: Samsung Electro-Mechanics America, Inc.
Disponível
RN1102MFV,L3F

RN1102MFV,L3F

Descrição: TRANS PREBIAS NPN 50V 0.15W VESM

Fabricantes: Toshiba Semiconductor and Storage
Disponível
RN1101,LF(CT

RN1101,LF(CT

Descrição: TRANS PREBIAS NPN 0.1W SSM

Fabricantes: Toshiba Semiconductor and Storage
Disponível
RN1103CT(TPL3)

RN1103CT(TPL3)

Descrição: TRANS PREBIAS NPN 0.05W CST3

Fabricantes: Toshiba Semiconductor and Storage
Disponível
RN104PJ620CS

RN104PJ620CS

Descrição: RES ARRAY 4 RES 62 OHM 0804

Fabricantes: Samsung Electro-Mechanics America, Inc.
Disponível
RN1102ACT(TPL3)

RN1102ACT(TPL3)

Descrição: TRANS PREBIAS NPN 0.1W CST3

Fabricantes: Toshiba Semiconductor and Storage
Disponível
RN1101ACT(TPL3)

RN1101ACT(TPL3)

Descrição: TRANS PREBIAS NPN 0.1W CST3

Fabricantes: Toshiba Semiconductor and Storage
Disponível
RN104PJ820CS

RN104PJ820CS

Descrição: RES ARRAY 4 RES 82 OHM 0804

Fabricantes: Samsung Electro-Mechanics America, Inc.
Disponível

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