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Casa > Produtos > Produtos semicondutores discretos > Transistores - Bipolar (BJT) - Single, pre-tendenc > RN1303(TE85L,F)

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2810252

Imagem RN1303(TE85L,F).

Toshiba Semiconductor and Storage

RN1303(TE85L,F)

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Inquérito Online

Especificações

Modelo do Produto

RN1303(TE85L,F)
Fabricante / Marca

TAEC Product (Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation)
Quantidade de estoque

Disponível
Descrição

TRANS PREBIAS NPN 0.1W USM
Status sem chumbo / Status RoHS

Sem chumbo / acordo com RoHS
Fichas de dados

RN1303(TE85L,F).pdf
Tensão - emissor de coletor de Breakdown (Max)

50V
Vce Saturação (Max) @ Ib, Ic

300mV @ 250µA, 5mA
Tipo transistor

NPN - Pre-Biased
Embalagem do dispositivo fornecedor

USM
Série

-
Resistor - Base do Emissor (R2)

22 kOhms
Resistor - Base (R1)

22 kOhms
Power - Max

100mW
Embalagem

Original-Reel®
Caixa / Gabinete

SC-70, SOT-323
Outros nomes

RN1303(TE85LF)DKR
Tipo de montagem

Surface Mount
Nível de sensibilidade à umidade (MSL)

1 (Unlimited)
Status sem chumbo / status de RoHS

Lead free / RoHS Compliant
Frequência - Transição

250MHz
Descrição detalhada

Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) NPN - Pre-Biased 50V 100mA 250MHz 100mW Surface Mount USM
DC ganho de corrente (HFE) (min) @ Ic, Vce

70 @ 10mA, 5V
Atual - Collector Cutoff (Max)

500nA
Atual - Collector (Ic) (Max)

100mA

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Forma de pagamento

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RN1310(TE85L,F)

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RN1304,LF

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RN123-I/RM

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Fabricantes: Micrel / Microchip Technology

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Descrição: TRANS PREBIAS NPN 0.1W USM

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Fabricantes: Schaffner EMC, Inc.

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Descrição: TRANS PREBIAS NPN 0.1W USM

Fabricantes: Toshiba Semiconductor and Storage

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