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Casa > Produtos > Produtos semicondutores discretos > Transistores - Bipolar (BJT) - matrizes, pre-tende > RN1901FETE85LF

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Imagem RN1901FETE85LF.

Toshiba Semiconductor and Storage

RN1901FETE85LF

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Inquérito Online

Especificações

Modelo do Produto

RN1901FETE85LF
Fabricante / Marca

TAEC Product (Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation)
Quantidade de estoque

Disponível
Descrição

TRANS 2NPN PREBIAS 0.1W ES6
Status sem chumbo / Status RoHS

Sem chumbo / acordo com RoHS
Fichas de dados

RN1901FETE85LF.pdf
Tensão - emissor de coletor de Breakdown (Max)

50V
Vce Saturação (Max) @ Ib, Ic

300mV @ 250µA, 5mA
Tipo transistor

2 NPN - Pre-Biased (Dual)
Embalagem do dispositivo fornecedor

ES6
Série

-
Resistor - Base do Emissor (R2)

4.7 kOhms
Resistor - Base (R1)

4.7 kOhms
Power - Max

100mW
Embalagem

Tape & Reel (TR)
Caixa / Gabinete

SOT-563, SOT-666
Outros nomes

RN1901FE(TE85L,F)
RN1901FETE85LFTR
Tipo de montagem

Surface Mount
Nível de sensibilidade à umidade (MSL)

1 (Unlimited)
Status sem chumbo / status de RoHS

Lead free / RoHS Compliant
Frequência - Transição

250MHz
Descrição detalhada

Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) 2 NPN - Pre-Biased (Dual) 50V 100mA 250MHz 100mW Surface Mount ES6
DC ganho de corrente (HFE) (min) @ Ic, Vce

30 @ 10mA, 5V
Atual - Collector Cutoff (Max)

100nA (ICBO)
Atual - Collector (Ic) (Max)

100mA

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