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Casa > Produtos > Produtos semicondutores discretos > Transistores - Bipolar (BJT) - matrizes, pre-tende > RN1910FE(T5L,F,T)

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Imagem RN1910FE(T5L,F,T).

Toshiba Semiconductor and Storage

RN1910FE(T5L,F,T)

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250+

$0.126

500+

$0.101

Inquérito Online

Especificações

Modelo do Produto

RN1910FE(T5L,F,T)
Fabricante / Marca

TAEC Product (Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation)
Quantidade de estoque

Disponível
Descrição

TRANS 2NPN PREBIAS 0.1W ES6
Status sem chumbo / Status RoHS

Sem chumbo / acordo com RoHS
Fichas de dados

RN1910FE(T5L,F,T).pdf
Tensão - emissor de coletor de Breakdown (Max)

50V
Vce Saturação (Max) @ Ib, Ic

300mV @ 250µA, 5mA
Tipo transistor

2 NPN - Pre-Biased (Dual)
Embalagem do dispositivo fornecedor

ES6
Série

-
Resistor - Base do Emissor (R2)

-
Resistor - Base (R1)

4.7 kOhms
Power - Max

100mW
Embalagem

Cut Tape (CT)
Caixa / Gabinete

SOT-563, SOT-666
Outros nomes

RN1910FE(T5LFT)CT
Tipo de montagem

Surface Mount
Nível de sensibilidade à umidade (MSL)

1 (Unlimited)
Status sem chumbo / status de RoHS

Lead free / RoHS Compliant
Frequência - Transição

250MHz
Descrição detalhada

Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) 2 NPN - Pre-Biased (Dual) 50V 100mA 250MHz 100mW Surface Mount ES6
DC ganho de corrente (HFE) (min) @ Ic, Vce

120 @ 1mA, 5V
Atual - Collector Cutoff (Max)

100nA (ICBO)
Atual - Collector (Ic) (Max)

100mA

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Envio

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