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Imagem SSM3K35CTC,L3F.

Toshiba Semiconductor and Storage

SSM3K35CTC,L3F

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Disponível

10000+

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Especificações

Modelo do Produto

SSM3K35CTC,L3F
Fabricante / Marca

TAEC Product (Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation)
Quantidade de estoque

Disponível
Descrição

MOSFET N-CH 20V 0.18A
Status sem chumbo / Status RoHS

Sem chumbo / acordo com RoHS
Fichas de dados

SSM3K35CTC,L3F.pdf
VGS (th) (Max) @ Id

1V @ 100µA
Vgs (Max)

±10V
Tecnologia

MOSFET (Metal Oxide)
Embalagem do dispositivo fornecedor

CST3C
Série

U-MOSIII
RDS ON (Max) @ Id, VGS

1.1 Ohm @ 150mA, 4.5V
Dissipação de energia (Max)

500mW (Ta)
Embalagem

Tape & Reel (TR)
Caixa / Gabinete

SC-101, SOT-883
Outros nomes

SSM3K35CTC,L3F(B
SSM3K35CTC,L3F(T
SSM3K35CTCL3F
SSM3K35CTCL3FTR
Temperatura de operação

150°C (TJ)
Tipo de montagem

Surface Mount
Nível de sensibilidade à umidade (MSL)

1 (Unlimited)
Status sem chumbo / status de RoHS

Lead free / RoHS Compliant
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds

36pF @ 10V
Carga de Porta (Qg) (Max) @ Vgs

0.34nC @ 4.5V
Tipo FET

N-Channel
Característica FET

-
Voltagem da unidade (Rds máximo ligado, Rds mínimo ligado)

1.2V, 4.5V
Escorra a tensão de fonte (Vdss)

20V
Descrição detalhada

N-Channel 20V 250mA (Ta) 500mW (Ta) Surface Mount CST3C
Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25 ° C

250mA (Ta)

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