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Casa > Produtos > Produtos semicondutores discretos > Transistores - FETs, MOSFETs - Single > SSM6J213FE(TE85L,F

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Imagem SSM6J213FE(TE85L,F.

Toshiba Semiconductor and Storage

SSM6J213FE(TE85L,F

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Disponível

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Especificações

Modelo do Produto

SSM6J213FE(TE85L,F
Fabricante / Marca

TAEC Product (Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation)
Quantidade de estoque

Disponível
Descrição

MOSFET P CH 20V 2.6A ES6
Status sem chumbo / Status RoHS

Sem chumbo / acordo com RoHS
Fichas de dados

SSM6J213FE(TE85L,F.pdf
VGS (th) (Max) @ Id

1V @ 1mA
Vgs (Max)

±8V
Tecnologia

MOSFET (Metal Oxide)
Embalagem do dispositivo fornecedor

ES6
Série

U-MOSVI
RDS ON (Max) @ Id, VGS

103 mOhm @ 1.5A, 4.5V
Dissipação de energia (Max)

500mW (Ta)
Embalagem

Tape & Reel (TR)
Caixa / Gabinete

SOT-563, SOT-666
Outros nomes

SSM6J213FE(TE85LFTR
SSM6J213FETE85LF
Temperatura de operação

150°C (TJ)
Tipo de montagem

Surface Mount
Nível de sensibilidade à umidade (MSL)

1 (Unlimited)
Status sem chumbo / status de RoHS

Lead free / RoHS Compliant
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds

290pF @ 10V
Carga de Porta (Qg) (Max) @ Vgs

4.7nC @ 4.5V
Tipo FET

P-Channel
Característica FET

-
Voltagem da unidade (Rds máximo ligado, Rds mínimo ligado)

1.5V, 4.5V
Escorra a tensão de fonte (Vdss)

20V
Descrição detalhada

P-Channel 20V 2.6A (Ta) 500mW (Ta) Surface Mount ES6
Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25 ° C

2.6A (Ta)

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