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Casa > Produtos > Produtos semicondutores discretos > Transistores - FETs, MOSFETs - matrizes > SSM6N15AFE,LM

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6159086

Imagem SSM6N15AFE,LM.

Toshiba Semiconductor and Storage

SSM6N15AFE,LM

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Inquérito Online

Especificações

Modelo do Produto

SSM6N15AFE,LM
Fabricante / Marca

TAEC Product (Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation)
Quantidade de estoque

Disponível
Descrição

MOSFET 2N-CH 30V 0.1A ES6
Status sem chumbo / Status RoHS

Sem chumbo / acordo com RoHS
Fichas de dados

1.SSM6N15AFE,LM.pdf
2.SSM6N15AFE,LM.pdf
VGS (th) (Max) @ Id

1.5V @ 100µA
Embalagem do dispositivo fornecedor

ES6 (1.6x1.6)
Série

-
RDS ON (Max) @ Id, VGS

4 Ohm @ 10mA, 4V
Power - Max

150mW
Embalagem

Original-Reel®
Caixa / Gabinete

SOT-563, SOT-666
Outros nomes

SSM6N15AFE,LMDKR
SSM6N15AFELMDKR
SSM6N15FE(TE85LF)DKR
SSM6N15FE(TE85LF)DKR-ND
Temperatura de operação

150°C (TJ)
Tipo de montagem

Surface Mount
Nível de sensibilidade à umidade (MSL)

1 (Unlimited)
Status sem chumbo / status de RoHS

Lead free / RoHS Compliant
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds

7.8pF @ 3V
Carga de Porta (Qg) (Max) @ Vgs

-
Tipo FET

2 N-Channel (Dual)
Característica FET

Logic Level Gate
Escorra a tensão de fonte (Vdss)

30V
Descrição detalhada

Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 30V 100mA 150mW Surface Mount ES6 (1.6x1.6)
Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25 ° C

100mA
Número da peça base

SSM6N15

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