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Casa > Produtos > Produtos semicondutores discretos > Transistores - FETs, MOSFETs - Single > TK100E08N1,S1X

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5470279

Imagem TK100E08N1,S1X.

Toshiba Semiconductor and Storage

TK100E08N1,S1X

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$4.715

500+

$3.818

1000+

$3.22

Inquérito Online

Especificações

Modelo do Produto

TK100E08N1,S1X
Fabricante / Marca

TAEC Product (Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation)
Quantidade de estoque

Disponível
Descrição

MOSFET N-CH 80V 100A TO220
Status sem chumbo / Status RoHS

Sem chumbo / acordo com RoHS
Fichas de dados

TK100E08N1,S1X.pdf
VGS (th) (Max) @ Id

4V @ 1mA
Vgs (Max)

±20V
Tecnologia

MOSFET (Metal Oxide)
Embalagem do dispositivo fornecedor

TO-220
Série

U-MOSVIII-H
RDS ON (Max) @ Id, VGS

3.2 mOhm @ 50A, 10V
Dissipação de energia (Max)

255W (Tc)
Embalagem

Tube
Caixa / Gabinete

TO-220-3
Outros nomes

TK100E08N1,S1X(S
TK100E08N1S1X
Temperatura de operação

150°C (TJ)
Tipo de montagem

Through Hole
Nível de sensibilidade à umidade (MSL)

1 (Unlimited)
Status sem chumbo / status de RoHS

Lead free / RoHS Compliant
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds

9000pF @ 40V
Carga de Porta (Qg) (Max) @ Vgs

130nC @ 10V
Tipo FET

N-Channel
Característica FET

-
Voltagem da unidade (Rds máximo ligado, Rds mínimo ligado)

10V
Escorra a tensão de fonte (Vdss)

80V
Descrição detalhada

N-Channel 80V 100A (Ta) 255W (Tc) Through Hole TO-220
Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25 ° C

100A (Ta)

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