TK10A80E,S4X

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Especificações

Modelo do Produto

TK10A80E,S4X
Fabricante / Marca

TAEC Product (Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation)
Quantidade de estoque

Disponível
Descrição

MOSFET N-CH 800V TO220SIS
Status sem chumbo / Status RoHS

Sem chumbo / acordo com RoHS
Fichas de dados

TK10A80E,S4X.pdf
VGS (th) (Max) @ Id

4V @ 1mA
Vgs (Max)

±30V
Tecnologia

MOSFET (Metal Oxide)
Embalagem do dispositivo fornecedor

TO-220SIS
Série

π-MOSVIII
RDS ON (Max) @ Id, VGS

1 Ohm @ 5A, 10V
Dissipação de energia (Max)

50W (Tc)
Embalagem

Tube
Caixa / Gabinete

TO-220-3 Full Pack
Outros nomes

TK10A80E,S4X(S
TK10A80ES4X
Temperatura de operação

150°C (TJ)
Tipo de montagem

Through Hole
Nível de sensibilidade à umidade (MSL)

1 (Unlimited)
Status sem chumbo / status de RoHS

Lead free / RoHS Compliant
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds

2000pF @ 25V
Carga de Porta (Qg) (Max) @ Vgs

46nC @ 10V
Tipo FET

N-Channel
Característica FET

-
Voltagem da unidade (Rds máximo ligado, Rds mínimo ligado)

10V
Escorra a tensão de fonte (Vdss)

800V
Descrição detalhada

N-Channel 800V 10A (Ta) 50W (Tc) Through Hole TO-220SIS
Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25 ° C

10A (Ta)

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