TK12A50E,S4X

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Especificações

Modelo do Produto

TK12A50E,S4X
Fabricante / Marca

TAEC Product (Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation)
Quantidade de estoque

Disponível
Descrição

MOSFET N-CH 500V TO220SIS
Status sem chumbo / Status RoHS

Sem chumbo / acordo com RoHS
Fichas de dados

TK12A50E,S4X.pdf
VGS (th) (Max) @ Id

4V @ 1.2mA
Vgs (Max)

±30V
Tecnologia

MOSFET (Metal Oxide)
Embalagem do dispositivo fornecedor

TO-220SIS
Série

-
RDS ON (Max) @ Id, VGS

520 mOhm @ 6A, 10V
Dissipação de energia (Max)

45W (Tc)
Embalagem

Tube
Caixa / Gabinete

TO-220-3 Full Pack
Outros nomes

TK12A50E,S4X(S
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TK12A50E,S5X(M
TK12A50ES4X
TK12A50ES4X(S
TK12A50ES4X(S-ND
TK12A50ES5X
TK12A50ES5X-ND
Temperatura de operação

150°C (TJ)
Tipo de montagem

Through Hole
Nível de sensibilidade à umidade (MSL)

1 (Unlimited)
Status sem chumbo / status de RoHS

Lead free / RoHS Compliant
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds

1300pF @ 25V
Carga de Porta (Qg) (Max) @ Vgs

40nC @ 10V
Tipo FET

N-Channel
Característica FET

-
Voltagem da unidade (Rds máximo ligado, Rds mínimo ligado)

10V
Escorra a tensão de fonte (Vdss)

500V
Descrição detalhada

N-Channel 500V 12A (Ta) 45W (Tc) Through Hole TO-220SIS
Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25 ° C

12A (Ta)

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