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Casa > Produtos > Produtos semicondutores discretos > Transistores - FETs, MOSFETs - Single > TK20E60W,S1VX

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Imagem TK20E60W,S1VX.

Toshiba Semiconductor and Storage

TK20E60W,S1VX

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Preço de referência (em dólares americanos)

Disponível

50+

$4.995

Inquérito Online

Especificações

Modelo do Produto

TK20E60W,S1VX
Fabricante / Marca

TAEC Product (Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation)
Quantidade de estoque

Disponível
Descrição

MOSFET N-CH 600V 20A TO-220
Status sem chumbo / Status RoHS

Sem chumbo / acordo com RoHS
Fichas de dados

TK20E60W,S1VX.pdf
VGS (th) (Max) @ Id

3.7V @ 1mA
Vgs (Max)

±30V
Tecnologia

MOSFET (Metal Oxide)
Embalagem do dispositivo fornecedor

TO-220
Série

DTMOSIV
RDS ON (Max) @ Id, VGS

155 mOhm @ 10A, 10V
Dissipação de energia (Max)

165W (Tc)
Embalagem

Tube
Caixa / Gabinete

TO-220-3
Outros nomes

TK20E60W,S1VX(S
TK20E60WS1VX
Temperatura de operação

150°C (TJ)
Tipo de montagem

Through Hole
Nível de sensibilidade à umidade (MSL)

1 (Unlimited)
Status sem chumbo / status de RoHS

Lead free / RoHS Compliant
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds

1680pF @ 300V
Carga de Porta (Qg) (Max) @ Vgs

48nC @ 10V
Tipo FET

N-Channel
Característica FET

-
Voltagem da unidade (Rds máximo ligado, Rds mínimo ligado)

10V
Escorra a tensão de fonte (Vdss)

600V
Descrição detalhada

N-Channel 600V 20A (Ta) 165W (Tc) Through Hole TO-220
Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25 ° C

20A (Ta)

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