TK80S04K3L(T6L1,NQ

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Especificações

Modelo do Produto

TK80S04K3L(T6L1,NQ
Fabricante / Marca

TAEC Product (Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation)
Quantidade de estoque

Disponível
Descrição

MOSFET N-CH 40V 80A DPAK-3
Status sem chumbo / Status RoHS

Sem chumbo / acordo com RoHS
Fichas de dados

TK80S04K3L(T6L1,NQ.pdf
VGS (th) (Max) @ Id

3V @ 1mA
Vgs (Max)

±20V
Tecnologia

MOSFET (Metal Oxide)
Embalagem do dispositivo fornecedor

DPAK+
Série

U-MOSIV
RDS ON (Max) @ Id, VGS

3.1 mOhm @ 40A, 10V
Dissipação de energia (Max)

100W (Tc)
Embalagem

Tape & Reel (TR)
Caixa / Gabinete

TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Outros nomes

TK80S04K3L(T6L1NQ
TK80S04K3LT6L1NQ
Temperatura de operação

175°C (TJ)
Tipo de montagem

Surface Mount
Nível de sensibilidade à umidade (MSL)

1 (Unlimited)
Status sem chumbo / status de RoHS

Lead free / RoHS Compliant
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds

4340pF @ 10V
Carga de Porta (Qg) (Max) @ Vgs

87nC @ 10V
Tipo FET

N-Channel
Característica FET

-
Voltagem da unidade (Rds máximo ligado, Rds mínimo ligado)

6V, 10V
Escorra a tensão de fonte (Vdss)

40V
Descrição detalhada

N-Channel 40V 80A (Ta) 100W (Tc) Surface Mount DPAK+
Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25 ° C

80A (Ta)

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