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Casa > Produtos > Produtos semicondutores discretos > Transistores - FETs, MOSFETs - Single > TK9A65W,S5X

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Imagem TK9A65W,S5X.

Toshiba Semiconductor and Storage

TK9A65W,S5X

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Disponível

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$2.56

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$2.061

100+

$1.855

500+

$1.443

1000+

$1.196

Inquérito Online

Especificações

Modelo do Produto

TK9A65W,S5X
Fabricante / Marca

TAEC Product (Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation)
Quantidade de estoque

Disponível
Descrição

MOSFET N-CH 650V 9.3A TO-220SIS
Status sem chumbo / Status RoHS

Sem chumbo / acordo com RoHS
Fichas de dados

TK9A65W,S5X.pdf
VGS (th) (Max) @ Id

3.5V @ 350µA
Vgs (Max)

±30V
Tecnologia

MOSFET (Metal Oxide)
Embalagem do dispositivo fornecedor

TO-220SIS
Série

DTMOSIV
RDS ON (Max) @ Id, VGS

500 mOhm @ 4.6A, 10V
Dissipação de energia (Max)

30W (Tc)
Embalagem

Tube
Caixa / Gabinete

TO-220-3 Full Pack
Outros nomes

TK9A65W,S5X(M
TK9A65WS5X
Temperatura de operação

150°C (TJ)
Tipo de montagem

Through Hole
Nível de sensibilidade à umidade (MSL)

1 (Unlimited)
Status sem chumbo / status de RoHS

Lead free / RoHS Compliant
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds

700pF @ 300V
Carga de Porta (Qg) (Max) @ Vgs

20nC @ 10V
Tipo FET

N-Channel
Característica FET

-
Voltagem da unidade (Rds máximo ligado, Rds mínimo ligado)

10V
Escorra a tensão de fonte (Vdss)

650V
Descrição detalhada

N-Channel 650V 9.3A (Ta) 30W (Tc) Through Hole TO-220SIS
Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25 ° C

9.3A (Ta)

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