TPC8035-H(TE12L,QM

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Especificações

Modelo do Produto

TPC8035-H(TE12L,QM
Fabricante / Marca

TAEC Product (Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation)
Quantidade de estoque

Disponível
Descrição

MOSFET N-CH 30V 18A SOP8 2-6J1B
Status sem chumbo / Status RoHS

Sem chumbo / acordo com RoHS
Fichas de dados

1.TPC8035-H(TE12L,QM.pdf
2.TPC8035-H(TE12L,QM.pdf
VGS (th) (Max) @ Id

2.3V @ 1mA
Vgs (Max)

±20V
Tecnologia

MOSFET (Metal Oxide)
Embalagem do dispositivo fornecedor

8-SOP (5.5x6.0)
Série

U-MOSVI-H
RDS ON (Max) @ Id, VGS

3.2 mOhm @ 9A, 10V
Dissipação de energia (Max)

1W (Ta)
Embalagem

Tape & Reel (TR)
Caixa / Gabinete

8-SOIC (0.173", 4.40mm Width)
Outros nomes

TPC8035-H(TE12L,QM-ND
TPC8035-HTE12LQMTR
Temperatura de operação

150°C (TJ)
Tipo de montagem

Surface Mount
Nível de sensibilidade à umidade (MSL)

1 (Unlimited)
Status sem chumbo / status de RoHS

Lead free / RoHS Compliant
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds

7800pF @ 10V
Carga de Porta (Qg) (Max) @ Vgs

82nC @ 10V
Tipo FET

N-Channel
Característica FET

-
Voltagem da unidade (Rds máximo ligado, Rds mínimo ligado)

4.5V, 10V
Escorra a tensão de fonte (Vdss)

30V
Descrição detalhada

N-Channel 30V 18A (Ta) 1W (Ta) Surface Mount 8-SOP (5.5x6.0)
Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25 ° C

18A (Ta)

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