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Casa > Produtos > Produtos semicondutores discretos > Transistores - FETs, MOSFETs - Single > TPHR6503PL,L1Q

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Imagem TPHR6503PL,L1Q.

Toshiba Semiconductor and Storage

TPHR6503PL,L1Q

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Disponível

5000+

$0.852

Inquérito Online

Especificações

Modelo do Produto

TPHR6503PL,L1Q
Fabricante / Marca

TAEC Product (Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation)
Quantidade de estoque

Disponível
Descrição

MOSFET N-CH 30V 150A 8SOP
Status sem chumbo / Status RoHS

Sem chumbo / acordo com RoHS
Fichas de dados

TPHR6503PL,L1Q.pdf
VGS (th) (Max) @ Id

2.1V @ 1mA
Vgs (Max)

±20V
Tecnologia

MOSFET (Metal Oxide)
Embalagem do dispositivo fornecedor

8-SOP Advance (5x5)
Série

U-MOSIX-H
RDS ON (Max) @ Id, VGS

0.65 mOhm @ 50A, 10V
Dissipação de energia (Max)

960mW (Ta), 170W (Tc)
Embalagem

Tape & Reel (TR)
Caixa / Gabinete

8-PowerVDFN
Outros nomes

TPHR6503PL,L1Q(M
TPHR6503PLL1QTR
Temperatura de operação

175°C
Tipo de montagem

Surface Mount
Nível de sensibilidade à umidade (MSL)

1 (Unlimited)
Status sem chumbo / status de RoHS

Lead free / RoHS Compliant
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds

10000pF @ 15V
Carga de Porta (Qg) (Max) @ Vgs

110nC @ 10V
Tipo FET

N-Channel
Característica FET

-
Voltagem da unidade (Rds máximo ligado, Rds mínimo ligado)

4.5V, 10V
Escorra a tensão de fonte (Vdss)

30V
Descrição detalhada

N-Channel 30V 150A (Tc) 960mW (Ta), 170W (Tc) Surface Mount 8-SOP Advance (5x5)
Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25 ° C

150A (Tc)

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Envio

Pagamento

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