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Casa > Produtos > Produtos semicondutores discretos > Transistores - FETs, MOSFETs - Single > TPN3R704PL,L1Q

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Imagem TPN3R704PL,L1Q.

Toshiba Semiconductor and Storage

TPN3R704PL,L1Q

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Disponível

5000+

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Especificações

Modelo do Produto

TPN3R704PL,L1Q
Fabricante / Marca

TAEC Product (Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation)
Quantidade de estoque

Disponível
Descrição

MOSFET N-CH 40V 80A TSON
Status sem chumbo / Status RoHS

Sem chumbo / acordo com RoHS
Fichas de dados

TPN3R704PL,L1Q.pdf
VGS (th) (Max) @ Id

2.4V @ 0.2mA
Vgs (Max)

±20V
Tecnologia

MOSFET (Metal Oxide)
Embalagem do dispositivo fornecedor

8-TSON Advance (3.3x3.3)
Série

U-MOSIX-H
RDS ON (Max) @ Id, VGS

3.7 mOhm @ 40A, 10V
Dissipação de energia (Max)

630mW (Ta), 86W (Tc)
Embalagem

Tape & Reel (TR)
Caixa / Gabinete

8-PowerVDFN
Outros nomes

TPN3R704PL,L1Q(M
TPN3R704PLL1QTR
Temperatura de operação

175°C
Tipo de montagem

Surface Mount
Nível de sensibilidade à umidade (MSL)

1 (Unlimited)
Status sem chumbo / status de RoHS

Lead free / RoHS Compliant
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds

2500pF @ 20V
Carga de Porta (Qg) (Max) @ Vgs

27nC @ 10V
Tipo FET

N-Channel
Característica FET

-
Voltagem da unidade (Rds máximo ligado, Rds mínimo ligado)

4.5V, 10V
Escorra a tensão de fonte (Vdss)

40V
Descrição detalhada

N-Channel 40V 80A (Tc) 630mW (Ta), 86W (Tc) Surface Mount 8-TSON Advance (3.3x3.3)
Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25 ° C

80A (Tc)

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