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Casa > Produtos > Produtos semicondutores discretos > Transistores - FETs, MOSFETs - Single > SIHB22N60S-E3

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Imagem SIHB22N60S-E3.

Vishay Siliconix

SIHB22N60S-E3

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Inquérito Online

Especificações

Modelo do Produto

SIHB22N60S-E3
Fabricante / Marca

Vishay / Siliconix
Quantidade de estoque

Disponível
Descrição

MOSFET N-CH 600V 22A D2PAK
Status sem chumbo / Status RoHS

Sem chumbo / acordo com RoHS
Fichas de dados

SIHB22N60S-E3.pdf
Tensão - Teste

2810pF @ 25V
Tensão - Breakdown

TO-263 (D²Pak)
VGS (th) (Max) @ Id

190 mOhm @ 11A, 10V
Vgs (Max)

10V
Tecnologia

MOSFET (Metal Oxide)
Série

-
Status de RoHS

Tape & Reel (TR)
RDS ON (Max) @ Id, VGS

22A (Tc)
Polarização

TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Outros nomes

SIHB22N60S-E3TR
Temperatura de operação

-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem

Surface Mount
Nível de Sensibilidade à Humidade (MSL)

1 (Unlimited)
Número de peça do fabricante

SIHB22N60S-E3
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds

110nC @ 10V
Tipo de IGBT

±30V
Carga de Porta (Qg) (Max) @ Vgs

4V @ 250µA
Característica FET

N-Channel
Descrição expandida

N-Channel 600V 22A (Tc) 250W (Tc) Surface Mount TO-263 (D²Pak)
Escorra a tensão de fonte (Vdss)

-
Descrição

MOSFET N-CH 600V 22A D2PAK
Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25 ° C

600V
Rácio de capacitância

250W (Tc)

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