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Casa > Produtos > Produtos semicondutores discretos > Diodos - retificadores - Single > BYR5D-1200PJ
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BYR5D-1200PJ

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Preço de referência (em dólares americanos)

Disponível
7500+
$0.248
Inquérito Online
Especificações
  • Modelo do Produto
    BYR5D-1200PJ
  • Fabricante / Marca
    WeEn Semiconductors Co., Ltd
  • Quantidade de estoque
    Disponível
  • Descrição
    BYR5D-1200PDPAK Q1 T1 STANDARD M
  • Status sem chumbo / Status RoHS
    Sem chumbo / acordo com RoHS
  • Fichas de dados
    BYR5D-1200PJ.pdf
  • Tensão - Forward (FV) (Max) @ Se
    2.2V @ 5A
  • Tensão - DC reversa (Vr) (Max)
    1200V
  • Embalagem do dispositivo fornecedor
    DPAK
  • Velocidade
    Fast Recovery = 200mA (Io)
  • Série
    -
  • Inversa de tempo de recuperação (trr)
    62ns
  • Caixa / Gabinete
    TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
  • Outros nomes
    934072040118
  • Temperatura de Operação - Junção
    175°C (Max)
  • Tipo de montagem
    Surface Mount
  • Status sem chumbo / status de RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Tipo Diode
    Standard
  • Descrição detalhada
    Diode Standard 1200V 5A Surface Mount DPAK
  • Atual - dispersão reversa @ Vr
    50µA @ 1200V
  • Atual - rectificada média (Io)
    5A
  • Capacitância @ Vr, F
    -

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Envio
Pagamento
O seguinte é "BYR5D-1200PJ" produtos relacionados.
SS1H4LW RVG

SS1H4LW RVG

Descrição: DIODE SCHOTTKY 40V 1A SOD123W

Fabricantes: TSC (Taiwan Semiconductor)
Disponível
RFQ
BYR29X-600,127

BYR29X-600,127

Descrição: DIODE GEN PURP 600V 8A TO220F

Fabricantes: WeEn Semiconductors Co., Ltd
Disponível
RFQ
CMS11(TE12L,Q,M)

CMS11(TE12L,Q,M)

Descrição: DIODE SCHOTTKY 40V 2A MFLAT

Fabricantes: Toshiba Semiconductor and Storage
Disponível
RFQ
UG8JT-E3/45

UG8JT-E3/45

Descrição: DIODE GEN PURP 600V 8A TO220AC

Fabricantes: Electro-Films (EFI) / Vishay
Disponível
RFQ
SD103C-T

SD103C-T

Descrição: DIODE SCHOTTKY 20V 350MA DO35

Fabricantes: Diodes Incorporated
Disponível
RFQ
CMS03(TE12L,Q,M)

CMS03(TE12L,Q,M)

Descrição: DIODE SCHOTTKY 30V 3A MFLAT

Fabricantes: Toshiba Semiconductor and Storage
Disponível
RFQ
BYR29-600,127

BYR29-600,127

Descrição: DIODE GEN PURP 600V 8A TO220AC

Fabricantes: WeEn Semiconductors Co., Ltd
Disponível
RFQ
SD51

SD51

Descrição: DIODE SCHOTTKY 45V 60A DO5

Fabricantes: GeneSiC Semiconductor
Disponível
RFQ
VS-70HF80M

VS-70HF80M

Descrição: DIODE GEN PURP 800V 70A DO203AB

Fabricantes: Electro-Films (EFI) / Vishay
Disponível
RFQ
FR307G R0G

FR307G R0G

Descrição: DIODE GEN PURP 3A DO201AD

Fabricantes: TSC (Taiwan Semiconductor)
Disponível
RFQ
SS2PH10HE3/84A

SS2PH10HE3/84A

Descrição: DIODE SCHOTTKY 100V 2A DO220AA

Fabricantes: Electro-Films (EFI) / Vishay
Disponível
RFQ
EGP10GE-M3/54

EGP10GE-M3/54

Descrição: DIODE GEN PURP 400V 1A DO204AL

Fabricantes: Vishay Semiconductor Diodes Division
Disponível
RFQ
MBRM560-13

MBRM560-13

Descrição: DIODE SCHOTTKY 60V 5A POWERMITE3

Fabricantes: Diodes Incorporated
Disponível
RFQ
GP10M-M3/54

GP10M-M3/54

Descrição: DIODE GEN PURP 1KV 1A DO204AL

Fabricantes: Vishay Semiconductor Diodes Division
Disponível
RFQ
RSX205LAM30TR

RSX205LAM30TR

Descrição: DIODE SCHOTTKY 30V 2A PMDTM

Fabricantes: LAPIS Semiconductor
Disponível
RFQ
RGP15M-E3/73

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Descrição: DIODE GEN PURP 1KV 1.5A DO204

Fabricantes: Electro-Films (EFI) / Vishay
Disponível
RFQ
ESH2PD-M3/85A

ESH2PD-M3/85A

Descrição: DIODE GEN PURP 200V 2A DO220AA

Fabricantes: Electro-Films (EFI) / Vishay
Disponível
RFQ
UH3CHE3_A/I

UH3CHE3_A/I

Descrição: DIODE GEN PURP 150V 3A DO214AB

Fabricantes: Electro-Films (EFI) / Vishay
Disponível
RFQ
BYR29-800,127

BYR29-800,127

Descrição: DIODE GEN PURP 800V 8A TO220AC

Fabricantes: WeEn Semiconductors Co., Ltd
Disponível
RFQ
BYR29X-800,127

BYR29X-800,127

Descrição: DIODE GEN PURP 800V 8A TO220F

Fabricantes: WeEn Semiconductors Co., Ltd
Disponível
RFQ
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