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Casa > Produtos > Circuitos integrados (ICs) > Memória > W987D6HBGX6E

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Imagem W987D6HBGX6E.

Winbond Electronics Corporation

W987D6HBGX6E

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Disponível

312+

$2.583

Inquérito Online

Especificações

Modelo do Produto

W987D6HBGX6E
Fabricante / Marca

Winbond Electronics Corporation
Quantidade de estoque

Disponível
Descrição

IC DRAM 128M PARALLEL 54VFBGA
Status sem chumbo / Status RoHS

Sem chumbo / acordo com RoHS
Fichas de dados

W987D6HBGX6E.pdf
Escrever Tempo do Ciclo - Palavra, Página

15ns
Tensão - Fornecimento

1.7 V ~ 1.95 V
Tecnologia

SDRAM - Mobile LPSDR
Embalagem do dispositivo fornecedor

54-VFBGA (8x9)
Série

-
Embalagem

Tray
Caixa / Gabinete

54-TFBGA
Temperatura de operação

-25°C ~ 85°C (TC)
Tipo de montagem

Surface Mount
Nível de sensibilidade à umidade (MSL)

3 (168 Hours)
Tipo de memória

Volatile
Tamanho da memória

128Mb (8M x 16)
Interface de memória

Parallel
Formato de memória

DRAM
Status sem chumbo / status de RoHS

Lead free / RoHS Compliant
Descrição detalhada

SDRAM - Mobile LPSDR Memory IC 128Mb (8M x 16) Parallel 166MHz 5.4ns 54-VFBGA (8x9)
Freqüência de relógio

166MHz
Tempo de acesso

5.4ns

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