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Casa > Produtos > Produtos semicondutores discretos > Transistores - FETs, MOSFETs - Single > 2N7002LT3G

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Imagem 2N7002LT3G.

AMI Semiconductor / ON Semiconductor

2N7002LT3G

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1000+

$0.037

Inquérito Online

Especificações

Modelo do Produto

2N7002LT3G
Fabricante / Marca

AMI Semiconductor/onsemi
Quantidade de estoque

Disponível
Descrição

MOSFET N-CH 60V 0.115A SOT-23
Status sem chumbo / Status RoHS

Sem chumbo / acordo com RoHS
Fichas de dados

2N7002LT3G.pdf
VGS (th) (Max) @ Id

2.5V @ 250µA
Vgs (Max)

±20V
Tecnologia

MOSFET (Metal Oxide)
Embalagem do dispositivo fornecedor

SOT-23-3 (TO-236)
Série

-
RDS ON (Max) @ Id, VGS

7.5 Ohm @ 500mA, 10V
Dissipação de energia (Max)

225mW (Ta)
Embalagem

Original-Reel®
Caixa / Gabinete

TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Outros nomes

2N7002LT3GOSDKR
Temperatura de operação

-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem

Surface Mount
Nível de sensibilidade à umidade (MSL)

1 (Unlimited)
Tempo de entrega padrão do fabricante

46 Weeks
Status sem chumbo / status de RoHS

Lead free / RoHS Compliant
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds

50pF @ 25V
Tipo FET

N-Channel
Característica FET

-
Voltagem da unidade (Rds máximo ligado, Rds mínimo ligado)

5V, 10V
Escorra a tensão de fonte (Vdss)

60V
Descrição detalhada

N-Channel 60V 115mA (Tc) 225mW (Ta) Surface Mount SOT-23-3 (TO-236)
Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25 ° C

115mA (Tc)

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