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Casa > Produtos > Produtos semicondutores discretos > Transistores - Bipolar (BJT) - Single > 2SB1122S-TD-E
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5573820Imagem 2SB1122S-TD-E.AMI Semiconductor / ON Semiconductor

2SB1122S-TD-E

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Preço de referência (em dólares americanos)

Disponível
1000+
$0.193
2000+
$0.176
5000+
$0.165
10000+
$0.154
25000+
$0.152
Inquérito Online
Especificações
  • Modelo do Produto
    2SB1122S-TD-E
  • Fabricante / Marca
    AMI Semiconductor/onsemi
  • Quantidade de estoque
    Disponível
  • Descrição
    TRANS PNP 50V 1A SOT89-3
  • Status sem chumbo / Status RoHS
    Sem chumbo / acordo com RoHS
  • Fichas de dados
    2SB1122S-TD-E.pdf
  • Tensão - emissor de coletor de Breakdown (Max)
    50V
  • Vce Saturação (Max) @ Ib, Ic
    500mV @ 50mA, 500mA
  • Tipo transistor
    PNP
  • Embalagem do dispositivo fornecedor
    PCP
  • Série
    -
  • Power - Max
    500mW
  • Embalagem
    Tape & Reel (TR)
  • Caixa / Gabinete
    TO-243AA
  • Outros nomes
    2SB1122S-TD-E-ND
    2SB1122S-TD-EOSTR
  • Temperatura de operação
    150°C (TJ)
  • Tipo de montagem
    Surface Mount
  • Nível de sensibilidade à umidade (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Tempo de entrega padrão do fabricante
    6 Weeks
  • Status sem chumbo / status de RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Frequência - Transição
    150MHz
  • Descrição detalhada
    Bipolar (BJT) Transistor PNP 50V 1A 150MHz 500mW Surface Mount PCP
  • DC ganho de corrente (HFE) (min) @ Ic, Vce
    100 @ 100mA, 2V
  • Atual - Collector Cutoff (Max)
    100nA (ICBO)
  • Atual - Collector (Ic) (Max)
    1A

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