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Casa > Produtos > Produtos semicondutores discretos > Transistores - Bipolar (BJT) - Single > 2SC5706-P-E

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Imagem 2SC5706-P-E.

AMI Semiconductor / ON Semiconductor

2SC5706-P-E

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Disponível

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Inquérito Online

Especificações

Modelo do Produto

2SC5706-P-E
Fabricante / Marca

AMI Semiconductor/onsemi
Quantidade de estoque

Disponível
Descrição

TRANS NPN 100V 5A
Status sem chumbo / Status RoHS

Sem chumbo / acordo com RoHS
Tensão - emissor de coletor de Breakdown (Max)

100V
Vce Saturação (Max) @ Ib, Ic

240mV @ 100mA, 2A
Tipo transistor

NPN
Embalagem do dispositivo fornecedor

TP
Série

-
Power - Max

800mW
Embalagem

Bulk
Caixa / Gabinete

TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Temperatura de operação

-
Tipo de montagem

Through Hole
Nível de sensibilidade à umidade (MSL)

1 (Unlimited)
Tempo de entrega padrão do fabricante

6 Weeks
Status sem chumbo / status de RoHS

Lead free / RoHS Compliant
Frequência - Transição

400MHz
Descrição detalhada

Bipolar (BJT) Transistor NPN 100V 5A 400MHz 800mW Through Hole TP
DC ganho de corrente (HFE) (min) @ Ic, Vce

200 @ 500mA, 2V
Atual - Collector Cutoff (Max)

1µA (ICBO)
Atual - Collector (Ic) (Max)

5A

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