5HN01M-TL-E

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Especificações

Modelo do Produto

5HN01M-TL-E
Fabricante / Marca

AMI Semiconductor/onsemi
Quantidade de estoque

Disponível
Descrição

MOSFET N-CH 50V 0.1A MCP3
Status sem chumbo / Status RoHS

Sem chumbo / acordo com RoHS
Fichas de dados

5HN01M-TL-E.pdf
VGS (th) (Max) @ Id

-
Vgs (Max)

±20V
Tecnologia

MOSFET (Metal Oxide)
Embalagem do dispositivo fornecedor

3-MCP
Série

-
RDS ON (Max) @ Id, VGS

7.5 Ohm @ 50mA, 10V
Dissipação de energia (Max)

150mW (Ta)
Embalagem

Tape & Reel (TR)
Caixa / Gabinete

SC-70, SOT-323
Temperatura de operação

150°C (TJ)
Tipo de montagem

Surface Mount
Nível de sensibilidade à umidade (MSL)

1 (Unlimited)
Status sem chumbo / status de RoHS

Lead free / RoHS Compliant
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds

6.2pF @ 10V
Carga de Porta (Qg) (Max) @ Vgs

1.4nC @ 10V
Tipo FET

N-Channel
Característica FET

-
Voltagem da unidade (Rds máximo ligado, Rds mínimo ligado)

4V, 10V
Escorra a tensão de fonte (Vdss)

50V
Descrição detalhada

N-Channel 50V 100mA (Ta) 150mW (Ta) Surface Mount 3-MCP
Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25 ° C

100mA (Ta)

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Descrição: MOSFET P-CH 100V 15A TO252-3

Fabricantes: International Rectifier (Infineon Technologies)

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5HN01M-TL-H

Descrição: MOSFET N-CH 50V 0.1A MCP3

Fabricantes: AMI Semiconductor / ON Semiconductor

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Descrição: MOSFET N-CH 100V 200A PLUS220SMD

Fabricantes: IXYS Corporation

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Fabricantes: IXYS Corporation

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Descrição: MOSFET N-CH 50V 100MA CP3

Fabricantes: AMI Semiconductor / ON Semiconductor

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Fabricantes: AMI Semiconductor / ON Semiconductor

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