ATP302-TL-H

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Especificações

Modelo do Produto

ATP302-TL-H
Fabricante / Marca

AMI Semiconductor/onsemi
Quantidade de estoque

Disponível
Descrição

MOSFET P-CH 60V 70A ATPAK
Status sem chumbo / Status RoHS

Sem chumbo / acordo com RoHS
Fichas de dados

ATP302-TL-H.pdf
VGS (th) (Max) @ Id

-
Vgs (Max)

±20V
Tecnologia

MOSFET (Metal Oxide)
Embalagem do dispositivo fornecedor

ATPAK
Série

-
RDS ON (Max) @ Id, VGS

13 mOhm @ 35A, 10V
Dissipação de energia (Max)

70W (Tc)
Embalagem

Tape & Reel (TR)
Caixa / Gabinete

ATPAK (2 leads+tab)
Outros nomes

ATP302-TL-H-ND
ATP302-TL-HOSTR
Temperatura de operação

150°C (TJ)
Tipo de montagem

Surface Mount
Nível de sensibilidade à umidade (MSL)

1 (Unlimited)
Tempo de entrega padrão do fabricante

24 Weeks
Status sem chumbo / status de RoHS

Lead free / RoHS Compliant
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds

5400pF @ 20V
Carga de Porta (Qg) (Max) @ Vgs

115nC @ 10V
Tipo FET

P-Channel
Característica FET

-
Voltagem da unidade (Rds máximo ligado, Rds mínimo ligado)

4.5V, 10V
Escorra a tensão de fonte (Vdss)

60V
Descrição detalhada

P-Channel 60V 70A (Ta) 70W (Tc) Surface Mount ATPAK
Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25 ° C

70A (Ta)

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