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Casa > Produtos > Produtos semicondutores discretos > Transistores - FETs, MOSFETs - Single > ATP216-TL-H

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Imagem ATP216-TL-H.

AMI Semiconductor / ON Semiconductor

ATP216-TL-H

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Inquérito Online

Especificações

Modelo do Produto

ATP216-TL-H
Fabricante / Marca

AMI Semiconductor/onsemi
Quantidade de estoque

Disponível
Descrição

MOSFET N-CH 50V 35A ATPAK
Status sem chumbo / Status RoHS

Sem chumbo / acordo com RoHS
Fichas de dados

ATP216-TL-H.pdf
VGS (th) (Max) @ Id

-
Vgs (Max)

±10V
Tecnologia

MOSFET (Metal Oxide)
Embalagem do dispositivo fornecedor

ATPAK
Série

-
RDS ON (Max) @ Id, VGS

23 mOhm @ 18A, 4.5V
Dissipação de energia (Max)

40W (Tc)
Embalagem

Tape & Reel (TR)
Caixa / Gabinete

ATPAK (2 leads+tab)
Temperatura de operação

150°C (TJ)
Tipo de montagem

Surface Mount
Nível de sensibilidade à umidade (MSL)

1 (Unlimited)
Status sem chumbo / status de RoHS

Lead free / RoHS Compliant
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds

2700pF @ 20V
Carga de Porta (Qg) (Max) @ Vgs

30nC @ 4.5V
Tipo FET

N-Channel
Característica FET

-
Voltagem da unidade (Rds máximo ligado, Rds mínimo ligado)

1.8V, 4.5V
Escorra a tensão de fonte (Vdss)

50V
Descrição detalhada

N-Channel 50V 35A (Ta) 40W (Tc) Surface Mount ATPAK
Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25 ° C

35A (Ta)

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