BC848CPDW1T1G

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Especificações

Modelo do Produto

BC848CPDW1T1G
Fabricante / Marca

AMI Semiconductor/onsemi
Quantidade de estoque

Disponível
Descrição

TRANS NPN/PNP 30V 0.1A SOT363
Status sem chumbo / Status RoHS

Sem chumbo / acordo com RoHS
Fichas de dados

BC848CPDW1T1G.pdf
Tensão - emissor de coletor de Breakdown (Max)

30V
Vce Saturação (Max) @ Ib, Ic

600mV @ 5mA, 100mA
Tipo transistor

NPN, PNP
Embalagem do dispositivo fornecedor

SC-88/SC70-6/SOT-363
Série

-
Power - Max

250mW
Embalagem

Tape & Reel (TR)
Caixa / Gabinete

6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Outros nomes

BC848CPDW1T1G-ND
BC848CPDW1T1GOSTR
Temperatura de operação

-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem

Surface Mount
Nível de sensibilidade à umidade (MSL)

1 (Unlimited)
Tempo de entrega padrão do fabricante

40 Weeks
Status sem chumbo / status de RoHS

Lead free / RoHS Compliant
Frequência - Transição

100MHz
Descrição detalhada

Bipolar (BJT) Transistor Array NPN, PNP 30V 100mA 100MHz 250mW Surface Mount SC-88/SC70-6/SOT-363
DC ganho de corrente (HFE) (min) @ Ic, Vce

420 @ 2mA, 5V
Atual - Collector Cutoff (Max)

15nA (ICBO)
Atual - Collector (Ic) (Max)

100mA

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