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Casa > Produtos > Produtos semicondutores discretos > Arrays de transistores - Bipolar (BJT)- > BC857CDW1T1

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Imagem BC857CDW1T1.

AMI Semiconductor / ON Semiconductor

BC857CDW1T1

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Inquérito Online

Especificações

Modelo do Produto

BC857CDW1T1
Fabricante / Marca

AMI Semiconductor/onsemi
Quantidade de estoque

Disponível
Descrição

TRANS 2PNP 45V 0.1A SOT363
Status sem chumbo / Status RoHS

Contém chumbo / RoHS não compatível
Fichas de dados

BC857CDW1T1.pdf
Tensão - emissor de coletor de Breakdown (Max)

45V
Vce Saturação (Max) @ Ib, Ic

650mV @ 5mA, 100mA
Tipo transistor

2 PNP (Dual)
Embalagem do dispositivo fornecedor

SC-88/SC70-6/SOT-363
Série

-
Power - Max

380mW
Embalagem

Tape & Reel (TR)
Caixa / Gabinete

6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Temperatura de operação

-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem

Surface Mount
Nível de sensibilidade à umidade (MSL)

1 (Unlimited)
Status sem chumbo / status de RoHS

Contains lead / RoHS non-compliant
Frequência - Transição

100MHz
Descrição detalhada

Bipolar (BJT) Transistor Array 2 PNP (Dual) 45V 100mA 100MHz 380mW Surface Mount SC-88/SC70-6/SOT-363
DC ganho de corrente (HFE) (min) @ Ic, Vce

420 @ 2mA, 5V
Atual - Collector Cutoff (Max)

15nA (ICBO)
Atual - Collector (Ic) (Max)

100mA
Número da peça base

BC857CD

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Forma de pagamento

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