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Casa > Produtos > Produtos semicondutores discretos > Transistores - Bipolar (BJT) - Single > BD435

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3108569

AMI Semiconductor / ON Semiconductor

BD435

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Inquérito Online

Especificações

Modelo do Produto

BD435
Fabricante / Marca

AMI Semiconductor/onsemi
Quantidade de estoque

Disponível
Descrição

TRANS NPN 32V 4A TO-225AA
Status sem chumbo / Status RoHS

Contém chumbo / RoHS não compatível
Fichas de dados

BD435.pdf
Tensão - emissor de coletor de Breakdown (Max)

32V
Vce Saturação (Max) @ Ib, Ic

500mV @ 200mA, 2A
Tipo transistor

NPN
Embalagem do dispositivo fornecedor

TO-225AA
Série

-
Power - Max

36W
Embalagem

Bulk
Caixa / Gabinete

TO-225AA, TO-126-3
Temperatura de operação

-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem

Through Hole
Nível de sensibilidade à umidade (MSL)

1 (Unlimited)
Status sem chumbo / status de RoHS

Contains lead / RoHS non-compliant
Frequência - Transição

3MHz
Descrição detalhada

Bipolar (BJT) Transistor NPN 32V 4A 3MHz 36W Through Hole TO-225AA
DC ganho de corrente (HFE) (min) @ Ic, Vce

85 @ 500mA, 1V
Atual - Collector Cutoff (Max)

100µA (ICBO)
Atual - Collector (Ic) (Max)

4A
Número da peça base

BD435

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