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Casa > Produtos > Produtos semicondutores discretos > Transistores - Bipolar (BJT) - Single > BD810
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576387Imagem BD810.AMI Semiconductor / ON Semiconductor

BD810

Inquérito On-line

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Inquérito Online
Especificações
  • Modelo do Produto
    BD810
  • Fabricante / Marca
    AMI Semiconductor/onsemi
  • Quantidade de estoque
    Disponível
  • Descrição
    TRANS PNP 80V 10A TO-220AB
  • Status sem chumbo / Status RoHS
    Contém chumbo / RoHS não compatível
  • Fichas de dados
    BD810.pdf
  • Modelo ECAD
  • Tensão - emissor de coletor de Breakdown (Max)
    80V
  • Vce Saturação (Max) @ Ib, Ic
    1.1V @ 300mA, 3A
  • Tipo transistor
    PNP
  • Embalagem do dispositivo fornecedor
    TO-220AB
  • Série
    -
  • Power - Max
    90W
  • Embalagem
    Tube
  • Caixa / Gabinete
    TO-220-3
  • Temperatura de operação
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Tipo de montagem
    Through Hole
  • Nível de sensibilidade à umidade (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Status sem chumbo / status de RoHS
    Contains lead / RoHS non-compliant
  • Frequência - Transição
    1.5MHz
  • Descrição detalhada
    Bipolar (BJT) Transistor PNP 80V 10A 1.5MHz 90W Through Hole TO-220AB
  • DC ganho de corrente (HFE) (min) @ Ic, Vce
    15 @ 4A, 2V
  • Atual - Collector Cutoff (Max)
    1mA (ICBO)
  • Atual - Collector (Ic) (Max)
    10A

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