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Casa > Produtos > Produtos semicondutores discretos > Transistores - FETs, MOSFETs - matrizes > ECH8659-TL-W

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1977944

Imagem ECH8659-TL-W.

AMI Semiconductor / ON Semiconductor

ECH8659-TL-W

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Inquérito Online

Especificações

Modelo do Produto

ECH8659-TL-W
Fabricante / Marca

AMI Semiconductor/onsemi
Quantidade de estoque

Disponível
Descrição

MOSFET 2N-CH 30V 7A ECH8
Status sem chumbo / Status RoHS

Sem chumbo / acordo com RoHS
Fichas de dados

ECH8659-TL-W.pdf
VGS (th) (Max) @ Id

2.6V @ 1mA
Embalagem do dispositivo fornecedor

SOT-28FL/ECH8
Série

-
RDS ON (Max) @ Id, VGS

24 mOhm @ 3.5A, 10V
Power - Max

1.3W
Embalagem

Tape & Reel (TR)
Caixa / Gabinete

8-SMD, Flat Lead
Outros nomes

ECH8659-TL-W-ND
ECH8659-TL-WOSTR
Temperatura de operação

150°C (TJ)
Nível de sensibilidade à umidade (MSL)

1 (Unlimited)
Tempo de entrega padrão do fabricante

5 Weeks
Status sem chumbo / status de RoHS

Lead free / RoHS Compliant
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds

710pF @ 10V
Carga de Porta (Qg) (Max) @ Vgs

11.8nC @ 10V
Tipo FET

2 N-Channel (Dual)
Característica FET

Logic Level Gate, 4V Drive
Escorra a tensão de fonte (Vdss)

30V
Descrição detalhada

Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 30V 7A 1.3W SOT-28FL/ECH8
Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25 ° C

7A

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