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Casa > Produtos > Produtos semicondutores discretos > Transistores - FETs, MOSFETs - Single > FCH041N60F

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Imagem FCH041N60F.

AMI Semiconductor / ON Semiconductor

FCH041N60F

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Disponível

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10+

$11.126

450+

$8.407

Inquérito Online

Especificações

Modelo do Produto

FCH041N60F
Fabricante / Marca

AMI Semiconductor/onsemi
Quantidade de estoque

Disponível
Descrição

MOSFET N CH 600V 76A TO247
Status sem chumbo / Status RoHS

Sem chumbo / acordo com RoHS
Fichas de dados

FCH041N60F.pdf
Modelo ECAD
VGS (th) (Max) @ Id

5V @ 250µA
Vgs (Max)

±20V
Tecnologia

MOSFET (Metal Oxide)
Embalagem do dispositivo fornecedor

TO-247
Série

SuperFET® II
RDS ON (Max) @ Id, VGS

41 mOhm @ 38A, 10V
Dissipação de energia (Max)

595W (Tc)
Embalagem

Tube
Caixa / Gabinete

TO-247-3
Temperatura de operação

-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem

Through Hole
Nível de sensibilidade à umidade (MSL)

1 (Unlimited)
Status sem chumbo / status de RoHS

Lead free / RoHS Compliant
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds

14365pF @ 100V
Carga de Porta (Qg) (Max) @ Vgs

360nC @ 10V
Tipo FET

N-Channel
Característica FET

-
Voltagem da unidade (Rds máximo ligado, Rds mínimo ligado)

10V
Escorra a tensão de fonte (Vdss)

600V
Descrição detalhada

N-Channel 600V 76A (Tc) 595W (Tc) Through Hole TO-247
Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25 ° C

76A (Tc)

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