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Casa > Produtos > Produtos semicondutores discretos > Transistores - FETs, MOSFETs - Single > FCU2250N80Z
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3514704Imagem FCU2250N80Z.AMI Semiconductor / ON Semiconductor

FCU2250N80Z

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Disponível
1+
$1.73
10+
$1.533
100+
$1.212
500+
$0.94
1000+
$0.742
Inquérito Online
Especificações
  • Modelo do Produto
    FCU2250N80Z
  • Fabricante / Marca
    AMI Semiconductor/onsemi
  • Quantidade de estoque
    Disponível
  • Descrição
    MOSFET N-CH 800V 2.6A IPAK
  • Status sem chumbo / Status RoHS
    Sem chumbo / acordo com RoHS
  • Fichas de dados
    FCU2250N80Z.pdf
  • VGS (th) (Max) @ Id
    4.5V @ 260µA
  • Vgs (Max)
    ±20V
  • Tecnologia
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Embalagem do dispositivo fornecedor
    I-PAK
  • Série
    SuperFET® II
  • RDS ON (Max) @ Id, VGS
    2.25 Ohm @ 1.3A, 10V
  • Dissipação de energia (Max)
    39W (Tc)
  • Embalagem
    Tube
  • Caixa / Gabinete
    TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
  • Temperatura de operação
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Tipo de montagem
    Through Hole
  • Nível de sensibilidade à umidade (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Status sem chumbo / status de RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds
    585pF @ 100V
  • Carga de Porta (Qg) (Max) @ Vgs
    14nC @ 10V
  • Tipo FET
    N-Channel
  • Característica FET
    -
  • Voltagem da unidade (Rds máximo ligado, Rds mínimo ligado)
    10V
  • Escorra a tensão de fonte (Vdss)
    800V
  • Descrição detalhada
    N-Channel 800V 2.6A (Tc) 39W (Tc) Through Hole I-PAK
  • Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25 ° C
    2.6A (Tc)

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Pagamento
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IXTY4N65X2

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Descrição: MOSFET N-CH 650V 4A X2 TO-252

Fabricantes: IXYS Corporation
Disponível
RFQ
IRFZ30PBF

IRFZ30PBF

Descrição: MOSFET N-CH 50V 30A TO-220AB

Fabricantes: Electro-Films (EFI) / Vishay
Disponível
RFQ
FCU360N65S3R0

FCU360N65S3R0

Descrição: MOSFET N-CH 600V IPAK

Fabricantes: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Disponível
RFQ
DMN33D8LT-13

DMN33D8LT-13

Descrição: MOSFET N-CH 30V 0.115A

Fabricantes: Diodes Incorporated
Disponível
RFQ
GA05JT12-247

GA05JT12-247

Descrição: TRANS SJT 1200V 5A

Fabricantes: GeneSiC Semiconductor
Disponível
RFQ
FCU4300N80Z

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Descrição: MOSFET N-CH 800V 1.6A IPAK

Fabricantes: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Disponível
RFQ
FCU-2

FCU-2

Descrição: FUSE TRON DUAL-ELEMENT

Fabricantes: Bussmann (Eaton)
Disponível
RFQ
FCU7N60TU

FCU7N60TU

Descrição: MOSFET N-CH 600V 7A I2PAK

Fabricantes: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Disponível
RFQ
FCUL0530-R47M=P3

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Descrição: FIXED IND 470NH 16A 2.85 MOHM

Fabricantes: Murata Electronics
Disponível
RFQ
FCU850N80Z

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Descrição: MOSFET N-CH 800V 6A IPAK

Fabricantes: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Disponível
RFQ
FCU-7

FCU-7

Descrição: FUSE TRON DUAL-ELEMENT

Fabricantes: Bussmann (Eaton)
Disponível
RFQ
FCU600N65S3R0

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Descrição: SUPERFET3 650V IPAK PKG

Fabricantes: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Disponível
RFQ
FCU900N60Z

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Descrição: MOSFET N CH 600V 4.5A IPAK

Fabricantes: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Disponível
RFQ
IXTC200N10T

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Descrição: MOSFET N-CH 100V 101A ISOPLUS220

Fabricantes: IXYS Corporation
Disponível
RFQ
SPA15N65C3XKSA1

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Descrição: MOSFET N-CH 650V 15A TO220-3

Fabricantes: International Rectifier (Infineon Technologies)
Disponível
RFQ
FCU3400N80Z

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Descrição: MOSFET N-CH 800V 2A IPAK

Fabricantes: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Disponível
RFQ
FCU5N60TU

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Descrição: MOSFET N-CH 600V 4.6A I-PAK

Fabricantes: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Disponível
RFQ
DMN90H8D5HCTI

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Descrição: MOSFET N-CH 900V 2.5A ITO220AB

Fabricantes: Diodes Incorporated
Disponível
RFQ
IRFBC40STRL

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Descrição: MOSFET N-CH 600V 6.2A D2PAK

Fabricantes: Electro-Films (EFI) / Vishay
Disponível
RFQ
FQB2NA90TM

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Descrição: MOSFET N-CH 900V 2.8A D2PAK

Fabricantes: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Disponível
RFQ
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