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Casa > Produtos > Produtos semicondutores discretos > Transistores - FETs, MOSFETs - Single > IXTY4N65X2
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6620133

IXTY4N65X2

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Preço de referência (em dólares americanos)

Disponível
70+
$1.725
Inquérito Online
Especificações
  • Modelo do Produto
    IXTY4N65X2
  • Fabricante / Marca
    IXYS / Littelfuse
  • Quantidade de estoque
    Disponível
  • Descrição
    MOSFET N-CH 650V 4A X2 TO-252
  • Status sem chumbo / Status RoHS
    Sem chumbo / acordo com RoHS
  • Fichas de dados
    IXTY4N65X2.pdf
  • Modelo ECAD
  • VGS (th) (Max) @ Id
    5V @ 250µA
  • Vgs (Max)
    ±30V
  • Tecnologia
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Embalagem do dispositivo fornecedor
    TO-252
  • Série
    -
  • RDS ON (Max) @ Id, VGS
    850 mOhm @ 2A, 10V
  • Dissipação de energia (Max)
    80W (Tc)
  • Embalagem
    Tube
  • Caixa / Gabinete
    TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
  • Temperatura de operação
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Tipo de montagem
    Surface Mount
  • Nível de sensibilidade à umidade (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Tempo de entrega padrão do fabricante
    24 Weeks
  • Status sem chumbo / status de RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds
    455pF @ 25V
  • Carga de Porta (Qg) (Max) @ Vgs
    8.3nC @ 10V
  • Tipo FET
    N-Channel
  • Característica FET
    -
  • Voltagem da unidade (Rds máximo ligado, Rds mínimo ligado)
    10V
  • Escorra a tensão de fonte (Vdss)
    650V
  • Descrição detalhada
    N-Channel 650V 4A (Tc) 80W (Tc) Surface Mount TO-252
  • Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25 ° C
    4A (Tc)

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Envio
Pagamento
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Descrição: MOSFET N-CH 650V 8A X2 TO-252

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Descrição: MOSFET N-CH 85V 50A TO-252

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Descrição: MOSFET N-CH 1000V 2A TO-252

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Descrição: MOSFET P-CH 50V 32A TO-252

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