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Casa > Produtos > Produtos semicondutores discretos > Transistores - FETs, MOSFETs - Single > FDB2670
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355815Imagem FDB2670.AMI Semiconductor / ON Semiconductor

FDB2670

Inquérito On-line

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Inquérito Online
Especificações
  • Modelo do Produto
    FDB2670
  • Fabricante / Marca
    AMI Semiconductor/onsemi
  • Quantidade de estoque
    Disponível
  • Descrição
    MOSFET N-CH 200V 19A TO-263AB
  • Status sem chumbo / Status RoHS
    Sem chumbo / acordo com RoHS
  • Fichas de dados
    FDB2670.pdf
  • VGS (th) (Max) @ Id
    4.5V @ 250µA
  • Vgs (Max)
    ±20V
  • Tecnologia
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Embalagem do dispositivo fornecedor
    TO-263AB
  • Série
    PowerTrench®
  • RDS ON (Max) @ Id, VGS
    130 mOhm @ 10A, 10V
  • Dissipação de energia (Max)
    93W (Tc)
  • Embalagem
    Tape & Reel (TR)
  • Caixa / Gabinete
    TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
  • Temperatura de operação
    -65°C ~ 175°C (TJ)
  • Tipo de montagem
    Surface Mount
  • Nível de sensibilidade à umidade (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Status sem chumbo / status de RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds
    1320pF @ 100V
  • Carga de Porta (Qg) (Max) @ Vgs
    38nC @ 10V
  • Tipo FET
    N-Channel
  • Característica FET
    -
  • Voltagem da unidade (Rds máximo ligado, Rds mínimo ligado)
    10V
  • Escorra a tensão de fonte (Vdss)
    200V
  • Descrição detalhada
    N-Channel 200V 19A (Ta) 93W (Tc) Surface Mount TO-263AB
  • Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25 ° C
    19A (Ta)

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Fabricantes: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
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Fabricantes: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
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Fabricantes: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
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Fabricantes: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
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