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Casa > Produtos > Produtos semicondutores discretos > Transistores - FETs, MOSFETs - Single > FDBL86066-F085

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Imagem FDBL86066-F085.

AMI Semiconductor / ON Semiconductor

FDBL86066-F085

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500+

$2.012

1000+

$1.697

Inquérito Online

Especificações

Modelo do Produto

FDBL86066-F085
Fabricante / Marca

AMI Semiconductor/onsemi
Quantidade de estoque

Disponível
Descrição

PTNG 100V N-FET TOLL
Status sem chumbo / Status RoHS
Fichas de dados

FDBL86066-F085.pdf
VGS (th) (Max) @ Id

4V @ 250µA
Vgs (Max)

±20V
Tecnologia

MOSFET (Metal Oxide)
Embalagem do dispositivo fornecedor

8-HPSOF
Série

PowerTrench®
RDS ON (Max) @ Id, VGS

4.1 mOhm @ 80A, 10V
Dissipação de energia (Max)

300W (Ta)
Embalagem

Cut Tape (CT)
Caixa / Gabinete

8-PowerSFN
Outros nomes

FDBL86066-F085OSCT
Temperatura de operação

-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montagem

Surface Mount
Nível de sensibilidade à umidade (MSL)

1 (Unlimited)
Tempo de entrega padrão do fabricante

24 Weeks
Status sem chumbo

Lead free
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds

3240pF @ 50V
Carga de Porta (Qg) (Max) @ Vgs

69nC @ 10V
Tipo FET

N-Channel
Característica FET

-
Voltagem da unidade (Rds máximo ligado, Rds mínimo ligado)

10V
Escorra a tensão de fonte (Vdss)

100V
Descrição detalhada

N-Channel 100V 185A (Tc) 300W (Ta) Surface Mount 8-HPSOF
Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25 ° C

185A (Tc)

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