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Casa > Produtos > Produtos semicondutores discretos > Transistores - FETs, MOSFETs - matrizes > FDC6303N

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Imagem FDC6303N.

AMI Semiconductor / ON Semiconductor

FDC6303N

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500+

$0.234

1000+

$0.181

Inquérito Online

Especificações

Modelo do Produto

FDC6303N
Fabricante / Marca

AMI Semiconductor/onsemi
Quantidade de estoque

Disponível
Descrição

MOSFET 2N-CH 25V 0.68A SSOT6
Status sem chumbo / Status RoHS

Sem chumbo / acordo com RoHS
Fichas de dados

FDC6303N.pdf
VGS (th) (Max) @ Id

1.5V @ 250µA
Embalagem do dispositivo fornecedor

SuperSOT™-6
Série

-
RDS ON (Max) @ Id, VGS

450 mOhm @ 500mA, 4.5V
Power - Max

700mW
Embalagem

Cut Tape (CT)
Caixa / Gabinete

SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Outros nomes

FDC6303NCT
Temperatura de operação

-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem

Surface Mount
Nível de sensibilidade à umidade (MSL)

1 (Unlimited)
Tempo de entrega padrão do fabricante

42 Weeks
Status sem chumbo / status de RoHS

Lead free / RoHS Compliant
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds

50pF @ 10V
Carga de Porta (Qg) (Max) @ Vgs

2.3nC @ 4.5V
Tipo FET

2 N-Channel (Dual)
Característica FET

Logic Level Gate
Escorra a tensão de fonte (Vdss)

25V
Descrição detalhada

Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 25V 680mA 700mW Surface Mount SuperSOT™-6
Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25 ° C

680mA

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