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Casa > Produtos > Produtos semicondutores discretos > Transistores - FETs, MOSFETs - matrizes > FDC6322C

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Imagem FDC6322C.

AMI Semiconductor / ON Semiconductor

FDC6322C

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Inquérito Online

Especificações

Modelo do Produto

FDC6322C
Fabricante / Marca

AMI Semiconductor/onsemi
Quantidade de estoque

Disponível
Descrição

MOSFET N/P-CH 25V SSOT-6
Status sem chumbo / Status RoHS

Sem chumbo / acordo com RoHS
Fichas de dados

FDC6322C.pdf
VGS (th) (Max) @ Id

1.5V @ 250µA
Embalagem do dispositivo fornecedor

SuperSOT™-6
Série

-
RDS ON (Max) @ Id, VGS

4 Ohm @ 400mA, 4.5V
Power - Max

700mW
Embalagem

Tape & Reel (TR)
Caixa / Gabinete

SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Temperatura de operação

-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem

Surface Mount
Nível de sensibilidade à umidade (MSL)

1 (Unlimited)
Status sem chumbo / status de RoHS

Lead free / RoHS Compliant
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds

9.5pF @ 10V
Carga de Porta (Qg) (Max) @ Vgs

0.7nC @ 4.5V
Tipo FET

N and P-Channel
Característica FET

Logic Level Gate
Escorra a tensão de fonte (Vdss)

25V
Descrição detalhada

Mosfet Array N and P-Channel 25V 220mA, 460mA 700mW Surface Mount SuperSOT™-6
Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25 ° C

220mA, 460mA

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