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Casa > Produtos > Produtos semicondutores discretos > Transistores - FETs, MOSFETs - matrizes > FDC6401N

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Imagem FDC6401N.

AMI Semiconductor / ON Semiconductor

FDC6401N

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500+

$0.321

1000+

$0.248

Inquérito Online

Especificações

Modelo do Produto

FDC6401N
Fabricante / Marca

AMI Semiconductor/onsemi
Quantidade de estoque

Disponível
Descrição

MOSFET 2N-CH 20V 3A SSOT-6
Status sem chumbo / Status RoHS

Sem chumbo / acordo com RoHS
Fichas de dados

FDC6401N.pdf
VGS (th) (Max) @ Id

1.5V @ 250µA
Embalagem do dispositivo fornecedor

SuperSOT™-6
Série

PowerTrench®
RDS ON (Max) @ Id, VGS

70 mOhm @ 3A, 4.5V
Power - Max

700mW
Embalagem

Original-Reel®
Caixa / Gabinete

SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Outros nomes

FDC6401NDKR
Temperatura de operação

-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem

Surface Mount
Nível de sensibilidade à umidade (MSL)

1 (Unlimited)
Tempo de entrega padrão do fabricante

42 Weeks
Status sem chumbo / status de RoHS

Lead free / RoHS Compliant
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds

324pF @ 10V
Carga de Porta (Qg) (Max) @ Vgs

4.6nC @ 4.5V
Tipo FET

2 N-Channel (Dual)
Característica FET

Standard
Escorra a tensão de fonte (Vdss)

20V
Descrição detalhada

Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 20V 3A 700mW Surface Mount SuperSOT™-6
Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25 ° C

3A

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