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Casa > Produtos > Produtos semicondutores discretos > Transistores - FETs, MOSFETs - Single > FDC636P

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5522484

Imagem FDC636P.

AMI Semiconductor / ON Semiconductor

FDC636P

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Inquérito Online

Especificações

Modelo do Produto

FDC636P
Fabricante / Marca

AMI Semiconductor/onsemi
Quantidade de estoque

Disponível
Descrição

MOSFET P-CH 20V 2.8A SSOT-6
Status sem chumbo / Status RoHS

Sem chumbo / acordo com RoHS
Fichas de dados

FDC636P.pdf
Modelo ECAD
VGS (th) (Max) @ Id

1V @ 250µA
Vgs (Max)

±8V
Tecnologia

MOSFET (Metal Oxide)
Embalagem do dispositivo fornecedor

SuperSOT™-6
Série

-
RDS ON (Max) @ Id, VGS

130 mOhm @ 2.8A, 4.5V
Dissipação de energia (Max)

1.6W (Ta)
Embalagem

Tape & Reel (TR)
Caixa / Gabinete

SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Outros nomes

FDC636P-ND
FDC636PTR
Temperatura de operação

-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem

Surface Mount
Nível de sensibilidade à umidade (MSL)

1 (Unlimited)
Status sem chumbo / status de RoHS

Lead free / RoHS Compliant
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds

390pF @ 10V
Carga de Porta (Qg) (Max) @ Vgs

8.5nC @ 4.5V
Tipo FET

P-Channel
Característica FET

-
Voltagem da unidade (Rds máximo ligado, Rds mínimo ligado)

2.5V, 4.5V
Escorra a tensão de fonte (Vdss)

20V
Descrição detalhada

P-Channel 20V 2.8A (Ta) 1.6W (Ta) Surface Mount SuperSOT™-6
Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25 ° C

2.8A (Ta)

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