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Casa > Produtos > Produtos semicondutores discretos > Transistores - FETs, MOSFETs - matrizes > FDC8602
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2060647Imagem FDC8602.AMI Semiconductor / ON Semiconductor

FDC8602

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Disponível
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$0.515
Inquérito Online
Especificações
  • Modelo do Produto
    FDC8602
  • Fabricante / Marca
    AMI Semiconductor/onsemi
  • Quantidade de estoque
    Disponível
  • Descrição
    MOSFET 2N-CH 100V 1.2A 6-SSOT
  • Status sem chumbo / Status RoHS
    Sem chumbo / acordo com RoHS
  • Fichas de dados
    FDC8602.pdf
  • VGS (th) (Max) @ Id
    4V @ 250µA
  • Embalagem do dispositivo fornecedor
    SuperSOT™-6
  • Série
    PowerTrench®
  • RDS ON (Max) @ Id, VGS
    350 mOhm @ 1.2A, 10V
  • Power - Max
    690mW
  • Embalagem
    Tape & Reel (TR)
  • Caixa / Gabinete
    SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
  • Outros nomes
    FDC8602TR
  • Temperatura de operação
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Tipo de montagem
    Surface Mount
  • Nível de sensibilidade à umidade (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Tempo de entrega padrão do fabricante
    9 Weeks
  • Status sem chumbo / status de RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds
    70pF @ 50V
  • Carga de Porta (Qg) (Max) @ Vgs
    2nC @ 10V
  • Tipo FET
    2 N-Channel (Dual)
  • Característica FET
    Standard
  • Escorra a tensão de fonte (Vdss)
    100V
  • Descrição detalhada
    Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 100V 1.2A 690mW Surface Mount SuperSOT™-6
  • Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25 ° C
    1.2A

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