FDD3690

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Especificações

Modelo do Produto

FDD3690
Fabricante / Marca

AMI Semiconductor/onsemi
Quantidade de estoque

Disponível
Descrição

MOSFET N-CH 100V 22A D-PAK
Status sem chumbo / Status RoHS

Sem chumbo / acordo com RoHS
Fichas de dados

FDD3690.pdf
VGS (th) (Max) @ Id

4V @ 250µA
Vgs (Max)

±20V
Tecnologia

MOSFET (Metal Oxide)
Embalagem do dispositivo fornecedor

D-PAK (TO-252AA)
Série

PowerTrench®
RDS ON (Max) @ Id, VGS

64 mOhm @ 5.4A, 10V
Dissipação de energia (Max)

3.8W (Ta), 60W (Tc)
Embalagem

Cut Tape (CT)
Caixa / Gabinete

TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Outros nomes

FDD3690CT
Temperatura de operação

-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montagem

Surface Mount
Nível de sensibilidade à umidade (MSL)

1 (Unlimited)
Tempo de entrega padrão do fabricante

42 Weeks
Status sem chumbo / status de RoHS

Lead free / RoHS Compliant
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds

1514pF @ 50V
Carga de Porta (Qg) (Max) @ Vgs

39nC @ 10V
Tipo FET

N-Channel
Característica FET

-
Voltagem da unidade (Rds máximo ligado, Rds mínimo ligado)

6V, 10V
Escorra a tensão de fonte (Vdss)

100V
Descrição detalhada

N-Channel 100V 22A (Tc) 3.8W (Ta), 60W (Tc) Surface Mount D-PAK (TO-252AA)
Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25 ° C

22A (Tc)

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