FDD4141-F085

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Especificações

Modelo do Produto

FDD4141-F085
Fabricante / Marca

AMI Semiconductor/onsemi
Quantidade de estoque

Disponível
Descrição

MOSFET P-CH 40V 10.8A DPAK
Status sem chumbo / Status RoHS

Sem chumbo / acordo com RoHS
Fichas de dados

FDD4141-F085.pdf
VGS (th) (Max) @ Id

3V @ 250µA
Vgs (Max)

±20V
Tecnologia

MOSFET (Metal Oxide)
Embalagem do dispositivo fornecedor

D-PAK (TO-252AA)
Série

Automotive, AEC-Q101, PowerTrench®
RDS ON (Max) @ Id, VGS

12.3 mOhm @ 12.7A, 10V
Dissipação de energia (Max)

2.4W (Ta), 69W (Tc)
Embalagem

Cut Tape (CT)
Caixa / Gabinete

TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Outros nomes

FDD4141-F085CT
FDD4141_F085CT
FDD4141_F085CT-ND
Temperatura de operação

-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem

Surface Mount
Nível de sensibilidade à umidade (MSL)

1 (Unlimited)
Tempo de entrega padrão do fabricante

40 Weeks
Status sem chumbo / status de RoHS

Lead free / RoHS Compliant
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds

2775pF @ 20V
Carga de Porta (Qg) (Max) @ Vgs

50nC @ 10V
Tipo FET

P-Channel
Característica FET

-
Voltagem da unidade (Rds máximo ligado, Rds mínimo ligado)

4.5V, 10V
Escorra a tensão de fonte (Vdss)

40V
Descrição detalhada

P-Channel 40V 10.8A (Ta), 50A (Tc) 2.4W (Ta), 69W (Tc) Surface Mount D-PAK (TO-252AA)
Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25 ° C

10.8A (Ta), 50A (Tc)

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