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Casa > Produtos > Produtos semicondutores discretos > Transistores - FETs, MOSFETs - Single > FDI8441

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6326469

Imagem FDI8441.

AMI Semiconductor / ON Semiconductor

FDI8441

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Inquérito Online

Especificações

Modelo do Produto

FDI8441
Fabricante / Marca

AMI Semiconductor/onsemi
Quantidade de estoque

Disponível
Descrição

MOSFET N-CH 40V 80A TO-262AB
Status sem chumbo / Status RoHS

Sem chumbo / acordo com RoHS
Fichas de dados

FDI8441.pdf
VGS (th) (Max) @ Id

4V @ 250µA
Vgs (Max)

±20V
Tecnologia

MOSFET (Metal Oxide)
Embalagem do dispositivo fornecedor

I2PAK (TO-262)
Série

PowerTrench®
RDS ON (Max) @ Id, VGS

2.7 mOhm @ 80A, 10V
Dissipação de energia (Max)

300W (Tc)
Embalagem

Tube
Caixa / Gabinete

TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA
Temperatura de operação

-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montagem

Through Hole
Nível de sensibilidade à umidade (MSL)

1 (Unlimited)
Status sem chumbo / status de RoHS

Lead free / RoHS Compliant
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds

15000pF @ 25V
Carga de Porta (Qg) (Max) @ Vgs

280nC @ 10V
Tipo FET

N-Channel
Característica FET

-
Voltagem da unidade (Rds máximo ligado, Rds mínimo ligado)

10V
Escorra a tensão de fonte (Vdss)

40V
Descrição detalhada

N-Channel 40V 26A (Ta), 80A (Tc) 300W (Tc) Through Hole I2PAK (TO-262)
Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25 ° C

26A (Ta), 80A (Tc)

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