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Casa > Produtos > Produtos semicondutores discretos > Transistores - FETs, MOSFETs - Single > FDMA8878

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Imagem FDMA8878.

AMI Semiconductor / ON Semiconductor

FDMA8878

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500+

$0.612

1000+

$0.483

Inquérito Online

Especificações

Modelo do Produto

FDMA8878
Fabricante / Marca

AMI Semiconductor/onsemi
Quantidade de estoque

Disponível
Descrição

MOSFET N-CH 30V 9A MICROFET
Status sem chumbo / Status RoHS

Sem chumbo / acordo com RoHS
Fichas de dados

FDMA8878.pdf
VGS (th) (Max) @ Id

3V @ 250µA
Vgs (Max)

±20V
Tecnologia

MOSFET (Metal Oxide)
Embalagem do dispositivo fornecedor

6-MicroFET (2x2)
Série

PowerTrench®
RDS ON (Max) @ Id, VGS

16 mOhm @ 9A, 10V
Dissipação de energia (Max)

2.4W (Ta)
Embalagem

Original-Reel®
Caixa / Gabinete

6-VDFN Exposed Pad
Outros nomes

FDMA8878DKR
Temperatura de operação

-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem

Surface Mount
Nível de sensibilidade à umidade (MSL)

1 (Unlimited)
Tempo de entrega padrão do fabricante

12 Weeks
Status sem chumbo / status de RoHS

Lead free / RoHS Compliant
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds

720pF @ 15V
Carga de Porta (Qg) (Max) @ Vgs

12nC @ 10V
Tipo FET

N-Channel
Característica FET

-
Voltagem da unidade (Rds máximo ligado, Rds mínimo ligado)

4.5V, 10V
Escorra a tensão de fonte (Vdss)

30V
Descrição detalhada

N-Channel 30V 9A (Ta), 10A (Tc) 2.4W (Ta) Surface Mount 6-MicroFET (2x2)
Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25 ° C

9A (Ta), 10A (Tc)

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