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Casa > Produtos > Produtos semicondutores discretos > Transistores - FETs, MOSFETs - matrizes > FDMB3900AN

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Imagem FDMB3900AN.

AMI Semiconductor / ON Semiconductor

FDMB3900AN

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Disponível

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Inquérito Online

Especificações

Modelo do Produto

FDMB3900AN
Fabricante / Marca

AMI Semiconductor/onsemi
Quantidade de estoque

Disponível
Descrição

MOSFET 2N-CH 25V 7A 8-MLP
Status sem chumbo / Status RoHS

Sem chumbo / acordo com RoHS
Fichas de dados

FDMB3900AN.pdf
VGS (th) (Max) @ Id

3V @ 250µA
Embalagem do dispositivo fornecedor

8-MLP, MicroFET (3x1.9)
Série

PowerTrench®
RDS ON (Max) @ Id, VGS

23 mOhm @ 7A, 10V
Power - Max

800mW
Embalagem

Tape & Reel (TR)
Caixa / Gabinete

8-PowerWDFN
Outros nomes

FDMB3900AN-ND
FDMB3900ANTR
Temperatura de operação

-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem

Surface Mount
Nível de sensibilidade à umidade (MSL)

1 (Unlimited)
Tempo de entrega padrão do fabricante

18 Weeks
Status sem chumbo / status de RoHS

Lead free / RoHS Compliant
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds

890pF @ 13V
Carga de Porta (Qg) (Max) @ Vgs

17nC @ 10V
Tipo FET

2 N-Channel (Dual)
Característica FET

Logic Level Gate
Escorra a tensão de fonte (Vdss)

25V
Descrição detalhada

Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 25V 7A 800mW Surface Mount 8-MLP, MicroFET (3x1.9)
Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25 ° C

7A

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