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Casa > Produtos > Produtos semicondutores discretos > Transistores - FETs, MOSFETs - Single > FDMC007N08LC

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4920825

FDMC007N08LC

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Disponível

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Inquérito Online

Especificações

Modelo do Produto

FDMC007N08LC
Fabricante / Marca

AMI Semiconductor/onsemi
Quantidade de estoque

Disponível
Descrição

MOSFET N-CHANNEL 80V 66A 8PQFN
Status sem chumbo / Status RoHS
Fichas de dados

FDMC007N08LC.pdf
VGS (th) (Max) @ Id

2.5V @ 120µA
Vgs (Max)

±20V
Tecnologia

MOSFET (Metal Oxide)
Embalagem do dispositivo fornecedor

8-PQFN (3.3x3.3), Power33
Série

Automotive, AEC-Q101, PowerTrench®
RDS ON (Max) @ Id, VGS

7 mOhm @ 21A, 10V
Dissipação de energia (Max)

57W (Tc)
Caixa / Gabinete

8-PowerWDFN
Temperatura de operação

-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem

Surface Mount
Nível de sensibilidade à umidade (MSL)

1 (Unlimited)
Tempo de entrega padrão do fabricante

34 Weeks
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds

2940pF @ 40V
Carga de Porta (Qg) (Max) @ Vgs

41nC @ 10V
Tipo FET

N-Channel
Característica FET

-
Voltagem da unidade (Rds máximo ligado, Rds mínimo ligado)

4.5V, 10V
Escorra a tensão de fonte (Vdss)

80V
Descrição detalhada

N-Channel 80V 66A (Tc) 57W (Tc) Surface Mount 8-PQFN (3.3x3.3), Power33
Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25 ° C

66A (Tc)

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